台积电4月开始正式推出65nm工艺的DRAM混载LSI
台湾集成电路（TSMC）将从2007年第2季度（4～6月）开始扩展采用65nm工艺制造的DRAM混载LSI的产品群（参阅本站报道）。这样除了06年第2季度开始生产的面向便携设备的低功率（LP）产品基础之外，面向PC和家电等的通用（GP）产品也将实现量产。
混载128Mbit芯片，45nm的产品将于08年量产
台积电表示自05年开始供应90nm产品以来，DRAM混载LSI的需求“迅速增长”（日本台积电技术顾问兼销售主管石原宏）。与90nm产品相比，65nm产品的芯片面积可减小一半，因此，可混载的DRAM的容量“将由90nm的64Mbit增至128Mbit，达到原来的2倍”（石原宏）。
另外，该公司将于08年开始量产45nm的DRAM混载LSI（参阅本站报道）。并计划于08年第3季度（7～9月）开始生产通用产品。如果采用45nm工艺，“低功率产品也可实现400M～500MHz的高速工作”。
来源：日经BP社