东芝、海力士NAND闪存侵权案：东芝初胜

东芝、海力士NAND闪存侵权案：东芝初胜

　　据路透社报道，美国国际贸易委员会一位行政法官日前否决了东芝关于Hynix半导体公司侵犯其NAND闪存专利的起诉。行政法官Paul Luckern撤销了东芝对Hynix的侵权指控。报道称，这一决议还有待美国国际贸易委员会审阅，并最终交由联邦法院进行审理。

　　东芝和Hynix在1996年8月签署了一份涉及到半导体产品的专利交叉许可协议。双方从2002年12月31日协议到期之前开始就延长协议进行谈判，但在东芝专利的许可费用上没有达成共识。

　　2004年，东芝就DRAM和闪存专利分别在日本和美国对Hynix发动了一系列起诉。Hynix 和STMicroelectronics合作开发并生产闪存芯片，但东芝在2004年的一系列起诉中并没有将ST列入起诉对象。