英特尔:碳基纳米管将成芯片设计之星

　　11月13日消息，芯片巨头英特尔表示，纳米管技术将成为芯片设计的未来之星。

　　据CNET News、com报道，英特尔表示未来纳米管技术必将代替传统的铜有线技术，成为半导体的主要设计根基，凭借该技术更新，目前基本上所有芯片产业的发展桎梏都将得以突破。

　　据悉，目前英特尔正在进行碳基纳米管的测试，鉴定其究竟能将芯片性能提高多少。英特尔实验室总裁将在下周美国圣.佛朗西斯科举办的国际SAVS会议上，继续讨论碳基纳米管的技术型问题。据悉，目前芯片巨头正就纳米管芯片技术问题，与加州理工学院、哥伦比亚大学、伊利诺斯大学以及波特兰州立大学进行合作。

　　据专家透露，纳米管技术，将有望解决困扰科学家多时的芯片“内连接”问题。根据莫尔定律，每两年芯片元件的尺寸就要缩小一半，然而芯片“内连接”尺寸的缩小，就意味着电阻增大，这也将导致产品的性能下降。实际上，当年之所以从铝过渡到铜芯片材质，从某种意义就是为了避免芯片内连接问题，不过时过境迁，当年铝芯片的问题再次出现在铜芯片领域。

　　专家表示，碳基纳米管的导电性要远远好于传统金属，例如之前提到的铝和铜，因此可以很好的解决高电阻带来的性能下降问题。另一方面，纳米的厚度可以达到十亿分之一米，因此在尺寸方面也比传统金属更具有优势。据悉，目前蓝色巨人IBM已经研发出基于基纳米管的晶体管。