三星明年DRAM位元成长率90%目标难达成

       six F-square技术拖累 全球DRAM供给量恐将紧缩

       刚结束2006年第三季法人说明会的三星电子（Samsung Electronics），原本在法说会中表明2007年的位元成长率将达90％左右，因此多数市场分析师开始对于2007年DRAM景气看法感到忧心，不过三星之所以有这样的估计，是因投片增加及高阶制程技术比重持续拉高，然增加产出量的重要six F-square技术大量投产时间点恐将顺延，目标恐无法达成。不过对于这样的传闻，三星截至截稿为止无法对此表示意见。不过也正因为如此，全球DRAM到2007年供给量恐将进一步紧缩。

       三星于10月法说时曾对外公开表示，2006年底时采用six F-square技术的产能将可望进一步扩增到占总产能的40％，市场分析师认为，因此三星才会有如此信心，认为2007年在DRAM的位元增加率将可望上看90％以上，不过这样的预期恐将落空，因原先三星所预估的比重，非但未能达到2006年底目标，甚至有可能到了2007年第一季底，six F-square的产出比重，也仅能占三星总产出的30％左右。

       对于DRAM厂来说，想要增加整体产能的方式，不外乎增加投片的数量，再者便是增加先进制程技术比重，要不就是提高先进制程技术的良率，而除此之外，还有另1项DRAM厂利器，便是将DRAM颗粒设计的面积进一步缩小，三星日前便发表1款由原本的eight F-square推进到six F-square的技术，而这样的设计技术将可使得三星在DRAM产出量上大幅增加。

       据了解，如果是90奈米制程技术的eight F-square到80奈米的six F-square，将可使得每片晶圆产出量再增加约50％，但如是80奈米制程技术的eight F-square到80奈米的six F-square，则也可让晶圆片上增加约20～25％产出量，而照三星已开始顺利转进80奈米制程技术来看，对于三星来说则也可至少再增加20～25％产出量。

       不过，此计画恐将向后顺延，三星2007年位元成长率要达到90％的目标将受影响。DRAM厂表示，以三星占全球DRAM市场约30％的市占率来看，三星的位元成长率只要少10％，便会使得全球DRAM市场供给量大幅缩水。

       这也是为何市场分析师原先认为，2007年三星一旦位元成长率激增到90％，全球DRAM市场恐将再度陷入泥沼，但如今看来这样危机应暂时解除。