美DRAM价格操纵案　Elpida前高层亦认罪

美DRAM价格操纵案　Elpida前高层亦认罪

       美国司法部日前表示，在其正调查的DRAM价格垄断案中，日本Elpida的前任高层主管已承认有罪。据美国司法部的声明，Elpida的前任记忆体业务副总裁D. James Sogas同意因参与全球共谋操纵价格，将被判入狱服刑6个月和缴纳25万美元罚金。

       在20世纪90年代，和本世纪初进行的DRAM价格垄断调查中，Sogas成为第17位被起诉和第14位认罪的人。Sogas是上述DRAM价格调查中第一位认罪的Elpida高层主管。今年9月，长期担任三星(Samsung)旗下美国公司Samsung Semiconductor高管的Thomas Quinn也认罪，将由于在全球共谋操纵DRAM储存晶片价格而将入狱服刑。Quinn需要服刑8个月并支付25万美元罚款。

       德国英飞凌(Infineon)和韩国海力士(Hynix Semiconductor)一共有8人认罪，并被判入狱5到8个月，每人支付25万美元罚款。美光(Micron Technology)的一位高层则早在2003年12月承认妨碍司法并被判居家监禁6个月。英飞凌并在2004年9月同意支付1.6亿美元的罚款。

       来源：中国IC交易网