台积电和中芯国际积极进军闪存市场

　　11月25日消息，台积电和中芯国际正在积极的进入闪存市场，先前台积电已经开始制造NOR型闪存芯片，中芯国际将利用以色列Saifun半导体公司提供的技术生产NAND闪存。

　　台积电在台南科技园区200毫米Fab 6 晶圆工厂生产NOR闪存芯片，为了提高产能，明年它还将在300毫米晶圆工厂生产NOR闪存芯片。台积电首席执行官蔡力行(Rick Tsai)表示，明年台积电闪存产品的收入将占到3%至5%。

　　11月23日,中芯国际和以色列Saifun半导体公司宣布，将利用Saifun半导体的每单元四比特Quad NROM技术推出8GB储存容量的 NAND芯片，预期2008年新产品投放市场。

　　Saifun半导体表示，它的Quad NROM技术制造出的芯片储存容量是传统储存单元的二倍，由于简化设计架构，制造成本大幅度降低。

　　上月份台积电首席执行官明确表示，考虑到闪存将能够使公司获得更多新的收入和利润，台积电对闪存市场很感兴趣。