全球NAND Flash市场厮杀战揭幕

全球NAND Flash市场厮杀战揭幕

　　三星电子（SamsungElectronics）力守NAND型闪存（Flash）价格策略宣告破功，12月上旬高容量MLC（Multi-Level-Cell）制程NAND型Flash合约价重挫逾20％，8Gb、16Gb分别失守10和20美元关卡，几乎贴近现货价。内存下游厂商表示，由于海力士（Hynix）60纳米及东芝（Toshiba）56纳米MLC制程2007年上半将陆续量产，三星63纳米制程优势式微，整个NAND型Flash市场进入新一轮激烈厮杀战。

　　2006年NAND型Flash市场MLC制程主流之路确立，三星和海力士所扮演推手角色功不可没，三星第二季MLC制程占总产出比重仅21％，且主要以70纳米制程为主，然进入第三季后，三星大举转换制程至63纳米，MLC比重急增至40％，展望第四季三星将持续拉升MLC比重至75％。海力士MLC制程进度更是出奇顺利，2005年上半MLC制程比重几近零，然2006年以来比重快速拉升，第三季已接近50％水准。
    　　
　　内存厂商表示，尽管三星成功主导MLC制程登主流，且下半年顺利由70纳米转至63纳米制程，然此举却使得SLC（Single-Level-Cell）和MLC之间供需急速失衡，更让控制芯片业者和记忆卡制造商措手不及，支持63纳米MLC制程记忆卡控制芯片未完全备战，间接导致8Gb和16Gb NAND型Flash重挫。

    此外，支持8Gb和16Gb控制芯片陆续传出不兼容问题，甚至导致记忆卡厂产品遭退货，让下游厂商大量采用高容量NAND型Flash意愿降低，然更主要原因，则是缺乏更有力的应用产品，市场陷入供过于求瓶颈，因此，记忆卡厂借着没足够控制芯片支持产品为由，婉拒上游大厂塞货。

    值得注意的是，虽然三星在63纳米制程战役领先，然自2007年第一季起，原本制程落后一个世代的海力士，其60纳米制程亦开始产出，加上东芝下世代56纳米制程加入战局，且该2厂商都是以MLC制程为重心，整个NAND型Flash市场势必将再掀波涛。对三星而言，随着2大竞争对手来势汹汹，其63纳米制程优势将式微，因此，三星将在2007年第二季持续微缩至50纳米制程，以迎接竞争对手的挑战。

    根据集邦科技（DRAMeXchange）最新报价，MLC制程8Gb芯片合约价下滑约20％，均价落在9～10元；16Gb芯片价格下滑逾20％，均价17.5～20美元；在SLC方面，8Gb芯片合约价下滑12％，均价12.5～15美元；16Gb芯片下滑14％，均价24.8～30美元；估计目前整体NAND型Flash市场MLC制程比重约60～70％，其余为SLC制程。