旺宏开发NAND型 明年测试

       明年75奈米试产 力晶受惠 

       旺宏在快闪记忆体布局再传捷报，成功开发NAND型快闪记忆体，为旺宏后市增添营运动能，这也是继茂德后，国内第二家拥有NANDFLASH自有研发技术的业者。

       旺宏电子宣布将跨入NANDFLASH领域，顺利开发下一世代的快闪记忆体“BE-SONOS”技术雏形，明年进行产品试产与测试，最快5到10年内量化，若未来再顺利成为技术产品主流，可望为旺宏带来可观的专利授权费用。

       目前旺宏是前十大NOR型快闪记忆体的供应商，NANDFLASH产品的曝光，不仅像征旺宏技术上的突破，也成为与英特尔和美光、三星等国际大厂一样，共同拥有NOR型与NAND型快闪记忆体的研发技术，这也是国内在茂德之后，第二家拥有NANDFLASH自有技术的业者。

       旺宏指出，NANDFLASH明年将以75奈米进行试产，由于旺宏已将12寸晶圆厂卖给力晶，市场人士认为，以旺宏和力晶的深厚关系，力晶将有望成为代工订单的受益者。

       旺宏指出，“BE-SONOS”技术目前暂定是生产2G的NANDFLASH，未来制程技术还会再演进到更先进的45奈米制程。

       来源：中国IC交易网