07年NAND供需缺口将受产业整合影响
拓墣产业研究所(Topology Research Institute)针对当前DRAM产业发表研究报告指出，目前该产业是由四国五大集团(Samsung、Micron、Hynix、Infineon与Elpida)所主导，随着产业的整合改变了以往美、日厂商随意扩厂的惯性，使得ASP稳定度提高、产业的年成长率更不易出现大起大落。
在需求方面，拓墣表示2007年上半年随着AMD发表支持DDR2的Socket AM2平台芯片，加上Intel促销64位CPU及合并Vista系统效应，促使DDR2 667规格主流确立，并刺激DDR2单机搭载率及容量的提升。另外，由于中国内需市场的换机潮及超低价PC风潮将使得PC市场对DDR1仍存有一定的需求量，而支撑住DDR1的价格。
其中占DRAM应用比例55%的PC用DRAM市场，在2007年Desktop年成长率高达46%、Mobile PC年成长率63%与Entry Level PC Server年成长率47%的驱使，以及占四成五的non PC中，消费性电子产品(如游戏机)及手机通讯用DRAM市场仍呈现高成长的需求态势，全年仍分别有56%、69%的年成长率，总结以上，2006年DRAM总需求仍有57.4%的年成长率。
在供给方面，厂商的12寸晶圆厂产能扩充进度，以及产品组合比例两个因素成为影响2007年供需缺口方向的最大因素，取代了以往制程良率改善进度因素的影响性；而产业特性方面，2005年开始的NAND闪存产能转移效应终告一个段落持续，有能力转移的厂商已在NAND闪存与DRAM产能调配取得平衡，而2007年8寸厂产能在成本效益考量下经自然淘汰将仅占20%~30%。
在产品部份，由于DDR2 667成为主流后，DDR1供给比例将明显减少至0%~20%，在出货量年长成率仅56.5%的成长率下，在旺季需求来临时，将可望使得下半年供不应求，预期2006年的市场产值达355亿美元，较去年呈现微幅15%的成长(2005年产值为308亿美元)。
至于台湾厂商发展部份，拓墣指出2006年正值国际大厂将DRAM产能转移到NAND闪存的同时，台湾DRAM厂商积极投资12寸晶圆厂，可预见的是，未来台湾厂商将因12寸厂密度为全球之冠而快速提高市占率。全球DRAM产业的趋势方面，因主要大厂的策略自2000年后改以技术授权方式和台湾厂商或中芯等代工厂合作而不积极扩产，使得台厂在2007年的市占率因12寸晶圆厂产能急速增加而达到20% (2006年约为15%)。
此外充足的资金筹码更使得台厂大胆增加2007年的资本支出以发展12寸晶圆厂产能和高阶制程，如力晶也展开12C、12D二座双子星12寸厂建厂规画，南科第一座12寸及华亚科第二座12寸晶圆厂将开始投片，另外茂德也将进行第三座12寸晶圆厂建厂布局，由此可见，2007年将是台湾DRAM厂在全球市场展露头角的一年。
2007年台湾五家DRAM厂──包括力晶(PSC)、南亚科(Nanya)、华亚科(Inotera)、茂德(ProMOS)、华邦电(Winbond)，在12寸晶圆厂投片量部份，力晶有61%的年成长率、华亚厂有27%、茂德因中科厂新产能开出亦有62%、华邦电则因新增12寸产能则有242%；不仅高于世界大厂，在年投片量部份五家总和约有354.7万片，较五家国际大厂的500万片亦毫不逊色。
而制程微缩部份，拓墣表示由于70纳米要提升良率时在物理特性上不易克服，使得全球DRAM厂的制程良率皆不易到达50%，反而给了台厂缓冲的时间来缩短技术上的差距，促使台厂整体竞争力在2007年得以拉近和国际大厂的距离。
在需求方面，拓墣表示2007年上半年随着AMD发表支持DDR2的Socket AM2平台芯片，加上Intel促销64位CPU及合并Vista系统效应，促使DDR2 667规格主流确立，并刺激DDR2单机搭载率及容量的提升。另外，由于中国内需市场的换机潮及超低价PC风潮将使得PC市场对DDR1仍存有一定的需求量，而支撑住DDR1的价格。
其中占DRAM应用比例55%的PC用DRAM市场，在2007年Desktop年成长率高达46%、Mobile PC年成长率63%与Entry Level PC Server年成长率47%的驱使，以及占四成五的non PC中，消费性电子产品(如游戏机)及手机通讯用DRAM市场仍呈现高成长的需求态势，全年仍分别有56%、69%的年成长率，总结以上，2006年DRAM总需求仍有57.4%的年成长率。
在供给方面，厂商的12寸晶圆厂产能扩充进度，以及产品组合比例两个因素成为影响2007年供需缺口方向的最大因素，取代了以往制程良率改善进度因素的影响性；而产业特性方面，2005年开始的NAND闪存产能转移效应终告一个段落持续，有能力转移的厂商已在NAND闪存与DRAM产能调配取得平衡，而2007年8寸厂产能在成本效益考量下经自然淘汰将仅占20%~30%。
在产品部份，由于DDR2 667成为主流后，DDR1供给比例将明显减少至0%~20%，在出货量年长成率仅56.5%的成长率下，在旺季需求来临时，将可望使得下半年供不应求，预期2006年的市场产值达355亿美元，较去年呈现微幅15%的成长(2005年产值为308亿美元)。
至于台湾厂商发展部份，拓墣指出2006年正值国际大厂将DRAM产能转移到NAND闪存的同时，台湾DRAM厂商积极投资12寸晶圆厂，可预见的是，未来台湾厂商将因12寸厂密度为全球之冠而快速提高市占率。全球DRAM产业的趋势方面，因主要大厂的策略自2000年后改以技术授权方式和台湾厂商或中芯等代工厂合作而不积极扩产，使得台厂在2007年的市占率因12寸晶圆厂产能急速增加而达到20% (2006年约为15%)。
此外充足的资金筹码更使得台厂大胆增加2007年的资本支出以发展12寸晶圆厂产能和高阶制程，如力晶也展开12C、12D二座双子星12寸厂建厂规画，南科第一座12寸及华亚科第二座12寸晶圆厂将开始投片，另外茂德也将进行第三座12寸晶圆厂建厂布局，由此可见，2007年将是台湾DRAM厂在全球市场展露头角的一年。
2007年台湾五家DRAM厂──包括力晶(PSC)、南亚科(Nanya)、华亚科(Inotera)、茂德(ProMOS)、华邦电(Winbond)，在12寸晶圆厂投片量部份，力晶有61%的年成长率、华亚厂有27%、茂德因中科厂新产能开出亦有62%、华邦电则因新增12寸产能则有242%；不仅高于世界大厂，在年投片量部份五家总和约有354.7万片，较五家国际大厂的500万片亦毫不逊色。
而制程微缩部份，拓墣表示由于70纳米要提升良率时在物理特性上不易克服，使得全球DRAM厂的制程良率皆不易到达50%，反而给了台厂缓冲的时间来缩短技术上的差距，促使台厂整体竞争力在2007年得以拉近和国际大厂的距离。