力晶与瑞萨合资记忆体设计厂　资本二亿元 70奈米以下制程

力晶与瑞萨合资记忆体设计厂　资本二亿元 70奈米以下制程

       记忆体产业遇上几年来难得的多头行情，力晶加码动作频频，力晶宣布，将与日本瑞萨半导体合资快闪记忆体的IC设计公司，投入70奈米以下高阶制程开发。

       力晶半导体证实，将与日系记忆体大厂瑞萨半导体联手共组记忆体IC设计公司VANTEL，进军70奈米与50奈米以下快闪记忆体的高阶制程研发，这也是力晶去年底宣布与尔必达成立瑞晶科技后，力晶再次扩增市场版图的大动作， 随着手机、数位相机以及可携式多媒体播放器市场需求持续增加，半导体业者争相投入快闪记忆体的业务，目前力晶初期投入两亿元以内的资本，是VANTEL的最大股东，20位的研发人员大多是来自于瑞萨半导体，市场认为，力晶去年上下半年各向瑞萨取得2G与4G的快闪记忆体授权，瑞萨也表示将正式退出快闪记忆体市场，力晶这次的合作，可望顺利接下瑞萨半导体在NANDFLASH的研发成果，有助力晶扩大市占率。

       来源：中国IC交易网