英特尔与IBM翻新电晶体制造技术,40年来最重大突破
来源： 作者： 时间：2007-01-30 15:06
英特尔<INTC>和IBM<IBM>周五宣布在电晶体的研发上获得40年来最重大的进展之一，可确保微晶片尺寸更小，功率更强大，成功克服了一大障碍。
双方分别以各自的研究，透过使用一种新物质来制造电晶体而达成突破。体积迷你的电晶体是制造微晶片的基础物质。
这项科技运用到一层透过电晶体调节电流的物质。
产业顾问公司VLSI Research负责人哈契逊(Dan Hutcheson)说，“就电晶体而言，基本物质自1960年代以来就不曾改变过。因此这是非常大的突破”。
“摩尔定律(Moore's Law)已快要不适用了，”他补充说。所谓摩尔定律是英特尔的共同创办人摩尔(Gordon Moore)提出的业界金科玉律，即晶片上的电晶体数目大约每两年会增加一倍。
摩尔定律的结果是晶片越来越小，速度越来越快，并扩展到林林总总的消费性产品，如今这些产品占该产业2,500亿美元年度营收的绝大部份。
最新的突破意味着，英特尔、IBM和其他公司将能利用至45奈米的电路系统制造下一代晶片。45奈米大约相当于一根人类头发宽度的两千分之一。
英特尔表示，预定今年稍后推出的处理器将利用新科技制造，而此新科技是基于一种叫做铪(hafnium)的银白色金属。该公司希望这能使他们在和对手AMD<AMD>的竞争中占到优势。
IBM则预期在明年推出由其盟友利用此技术制造的晶片。其盟友包括AMD和日本的东芝。
来源：中国IC交易网
