三星全球首产60纳米1Gb DDR2 内存

    3月6日消息，三星电子将在全球范围内率先投产60纳米1Gb DDR2 D内存。

    

    据韩联社报道，三星电子去年3月份开始量产80纳米512Mb DDR2 D内存，曾成功开启全球DDR2 D内存生产的80纳米时代。然而时隔不到1年，三星电子又在全球范围内率先量产足足领先80纳米产品两代的60纳米1Gb DDR2 D内存。

    

    使用60纳米工艺生产DDR2 D内存，其生产效率比使用80纳米工艺高40%以上，比目前国际DDR2 D内存产业界普遍采用的90纳米工艺高两倍以上，可大幅提高成本竞争力。

    

    三星电子1日表示，全球首产60纳米DDR2 D内存这本身具有一定意义，同时此举也为其确立了今后开发并量产50纳米和40纳米产品的领先业界的技术基础。