英特尔将采用45纳米制造工艺升级晶圆厂

英特尔将采用45纳米制造工艺升级晶圆厂

    英特尔公司日前宣布，计划投资10亿到15亿美元升级新墨西哥州Rio Rancho的Fab 11X晶圆厂，将工艺过渡到45纳米制程。

    

    Fab 11X将成为该公司第四座采用45纳米工艺过程的晶圆厂，计划在2008年下半年开始生产。

    

    英特尔最早的45纳米产品将在其俄勒冈晶圆厂完成，名为D1D。该公司当前还在建设另外两座45纳米晶圆厂，其中亚利桑那州的Fab 32投资30亿美元， 将在2007年末开始生产；位于以色列的Fab 28投资35亿美元，预计2008年上半年投入生产。

    

    Fab 11X当前制造90纳米电脑芯片，采用300毫米晶圆。Fab 11X 从2002年10月开始生产，并且是英特尔首座300毫米高量产制造基地，也是英特尔首座完全自动化生产300毫米晶圆的高批量工厂。