NAND晶片价格料反弹,激励三星等晶片股扩大涨势

NAND晶片价格料反弹,激励三星等晶片股扩大涨势

     韩国三星电子<005930>等晶片股周一扩大涨势,因NAND快闪记忆体价格料将反弹,拉高获利表现.
    
     美国就业数据良好,加上日本经济稳健成长,缓和了全球经济疑虑,亦提振此一以出口为导向的类股.
    
     股价评价相对偏低亦是原因之一;先前韩国晶片类股受到记忆体晶片价格下滑影响,数个月来均不振.
    
     "记忆体晶片价格距离底部不远了.快闪记忆体价格即将触底,不过DRAM价格可能会持续下滑,"大宇证券分析师Chung Chan-won表示.
    
     "我们的确认为韩国晶片厂商的获利正在走疲,但股价反映了硬陆着的情况.和长期获利的评价相比,股价相当低,"他说.
    
     0311GMT时,三星电子上涨2.39%,至600,000韩圜,大盘综合股价指数涨1.1%,为连续第五天上涨.
    
     海力士半导体<000660>升1.54%,至33,000韩圜,为连续第三天上涨.
    
     上周美林下修三星电子和海力士目标股价,但维持买进评等,因快闪记忆体晶片价格在第二季有下滑的风险,但第三季销售可望复苏.