内存厂扩张过度市调机构示警

内存厂扩张过度市调机构示警

       市调机构IC Insights公布最新研究报告，去年全球半导体厂资本支出约为五四七．五亿美元，占了全球销售额的二二．一％，但DRAM及闪存的资本支出对营收比重，却分别是产业总水平的二倍及二．五倍，显示内存厂的资本支出已有严重扩张的问题。IC Insights指出，今年看来内存厂仍持续扩增资本支出，似乎忘了过去一再重演的供给过剩戏码，内存厂本身才是自己最大的敌人。　　根据IC Insights的统计，去年以逻辑IC为主的IDM厂或晶圆代工厂，资本支出的规模都维持一定水平而已，所以处理器及控制器的制造厂商，去年资本支出占总营收比重约一九．五％，晶圆代工厂的资本支出占总营收比重则仅一八．四％，均低于产业平均比重的二二．一％。至于去年景气大好的内存厂，资本支出占总营收比重就出现极度扩张情况，DRAM厂比重约四一．一％，闪存厂比重为五七．二％，均是产业平均水平的二倍以上。
       报告中指出，台湾DRAM厂的资本支出扩张情况十分惊人，力晶去年资本支出占营收比重高达九二％，南亚科技比重则逼近一○○％，韩国内存厂海力士比重亦高达五五％，连大量委外代工的日本DRAM厂尔必达，资本支出占营收比重都还达三六％，均高于产业平均水平，显示内存厂的资本投资已进入不太理性的情况。
       IC Insights认为，内存厂虽看好未来几年的市场需求强度，如微软操作系统Vista将使得计算机内建DRAM模块容量由一GB提高至二GB，手机及记忆卡等产品亦将大量去化NAND产能，但是一旦需求未如原本预期强劲，将导致内存出现非理性的跌价，这就会严重伤害到内存厂本身的营运成绩。由于过去内存市场出现过多次的不理性投资，最后都因无法承受亏损的厂商退出，割喉战才暂告停止，这回内存资本支出严重扩张，业者本身将成为自己最大的敌人。
       今年以来DRAM及NAND价格均出现大跌走势，虽然四月以来价格出现反弹，不过主流产品如五一二Mb DDR2及八Gb NAND芯片，首季价格跌幅仍有四成左右，而由今年内存厂的投资动作来看，台湾DRAM厂十二吋厂兴建动作未停，三星、东芝、海力士、IM Flash等亦大扩NAND产能，也难怪IC Insights在报告最后以「Deja Vu」（似曾相识）来形容此一现象，暗示过去的历史恐怕将再度重演。