IC：摩尔定律驱动下集成度和复杂度加速提高
设计技术：面向SoC设计成主流 面向SoC的设计方法将成主流
由于电子整机系统不断向轻、薄、小的方向发展，集成电路功能也由单一向复杂转变，并且向系统集成发展的方向已经明确。目前，SoC电路已经能在单一硅芯片上实现信号采集、转换、存储、处理和输入/输出等功能。由此可见，将数字电路、存储器、CPU、DSP、射频电路、模拟电路、传感器甚至微机电系统(MEMS)等集成在单一芯片上，实现一个完整系统功能的SoC设计将成为未来集成电路设计的主流。未来SoC芯片的设计将以IP复用为基础，把已优化的子系统甚至系统级模块纳入到新的系统设计之中。
SoC设计技术包括总线架构技术、基于SoC的IP核复用技术、软硬件协同设计技术、SoC验证技术、可测性设计技术和低功耗设计技术等。
另外，面向SoC之后的网络级芯片(NoC)的设计思想亦将进入集成电路设计领域。
设计线宽不断降低，芯片集成度不断增加
据专家分析，今后5～10年内，集成电路技术仍将遵循摩尔定律发展，而集成电路设计则是体现这一定律至关重要的一个环节。
目前，主流集成电路设计已经达到0.18μm～0.13μm，高端设计已经进入90nm，芯片集成度达到108～109数量级。根据2003年ITRS(International Technology Roadmap for SemIConductor)公布的预测结果，2007年将实现特征尺寸65nm，2010年将实现45nm，2013年将实现32nm，2016年将实现22nm量产。产品制造的实现是以设计为基础，相应的设计手段同期将达到这一水平。
EDA工具广泛应用，设计可行性与可*性提高
随着集成电路设计在规模、速度和功能方面的提高，EDA业界一直在努力寻找新的设计方法。未来5～10年，伴随着软硬件协同设计技术、可测性设计技术、纳米级电路设计技术、嵌入式IP核设计技术、特殊电路的工艺兼容技术等新方法出现在EDA工具中，EDA工具将得到更广泛的应用。EDA工具为集成电路的短周期快速投产提供了保障，使全自动化设计成为可能，同时设计可行性和可*性也可得到不断提高。先进的EDA工具将成为集成电路设计必不可少的技术手段。
IP复用技术不断完善
IP复用技术经过30余年的发展，目前已成为集成电路设计领域中至关重要的一种技术。利用IP复用技术可以节省设计人员的时间，充分实现技术继承性。未来5～10年，绝大部分集成电路产品均将采用IP复用技术，IP复用机制将完善并普及，从而形成庞大的产业。IP复用技术在集成电路设计领域将会占有举足轻重的地位。
可编程逻辑器件将大规模应用
可编程逻辑器件(PLD)，尤其是现场可编程门阵列(FPGA)是近几年集成电路中发展最快的产品。由于其性能的高速发展以及设计人员自身能力的提高，PLD将在未来5～10年内发挥更广泛的作用，同时，它们还会促使复杂的专用芯片面向高端和更复杂的应用。由于PLD的应用，集成电路的设计流程将更简化，设计周期将会不断缩短，同时设计成本和制造成本将进一步降低。
集成电路设计与整机系统结合将更加紧密
未来5～10年，集成电路设计将围绕应用展开，64位甚至128位通用CPU以及相关产品群的开发、3C多功能融合的移动终端芯片组开发、网络通信产品开发、数字信息产品开发、平面显示器配套集成电路开发等都将成为集成电路设计所面向的主体。
封装技术：封装与组装走向融合 多种封装方式共存，主流封装方式将转变
现今的新型封装方式将演变成主流封装方式，未来5～10年内以BGA/PGA等方式封装的集成电路产品不会消失，而芯片封装(CSP)、晶片级封装(WLP)、多芯片/三维立体封装(MCP/3D)等将成为主流封装方式，更先进的封装方式如系统级封装(SIP)等将会进入实用化。
多管脚、高可*性电路封装方式将产生
随着诸如CPU、SoC等高端电路产品的高度发展，集成电路输入输出管脚数目将急剧增加，运行频率的增加对信号时间延迟的要求将更为苛刻。为适应这类产品的需求，新型的封装方式将诞生，新型的封装方式的封装管脚数目将达到数千只水平，信号延迟再度降低、散热性能增强、抗恶劣环境等性能再度提高。此类新型封装方式适用于最高端的集成电路产品，代表着最高水平的封装技术，但因成本等因素还不能成为主流。
芯片表面贴装成为实用技术
随着系统集成和新技术的发展，集成电路芯片将开始不再通过封装过程而直接装配在电路基板上，倒装芯片(FCIP)技术将是最早实现这一形式的实用技术，其他新型的表面贴装封装方式将会诞生，但仍不会大规模进入主流封装领域。各种新型封装技术促使集成电路封装工序与整机/模块装配工艺的前端工序渐渐融合，这种变化使传统的封装与组装的界线和区别消失，涵盖封装和组装的新兴领域将会诞生。
芯片制造技术：纳米级加工技术向纵深发展
晶片直径继续增大
目前，世界主流生产线采用的晶片直径正在从200mm(8英寸)向300mm(12英寸)过渡，下一步将开始向400mm(16英寸)发展，预计实用化的400mm晶片将在2007～2010年间问世，届时晶片的大型化将显著提高生产效率和成品率。虽然增大晶片直径会带来巨额投资，但在未来5～10年内，这仍将是集成电路芯片制造领域内一个明显的发展趋势。
特征尺寸持续缩小
2004年，集成电路的特征尺寸开始正式进入纳米阶段，90nm线宽的集成电路被大规模应用在CPU、DSP等复杂集成电路中。根据预测，2007年将实现65nm，2010年将实现45nm，2013年将实现32nm，2016年将实现22nm量产。
纳米级光刻工艺将广泛使用
未来5年，集成电路芯片制造技术将全面进入纳米阶段，如何研发与生产工艺相匹配的光刻技术将成为主要问题。虽然当前浸润式光刻技术已经在90nm～6 5nm水平的应用上达到实用水平，并且正在向45nm工艺节点延展，但在更细线宽的应用上，前景仍不明朗。可以预测，来5～10年，准分子激光光刻技术、远紫外曝光光刻技术、电子束投影光刻技术、X射线光刻等下一代光刻技术中的一项或几项将进入成熟阶段，成为主流光刻技术。
铜互连工艺将继续拓展并得到广泛使用
目前铜互连技术已被众多的生产厂家应用于高端电路产品的加工生产中，而且由原来的6～7层互连发展到现今的9～10层互连。围绕着铜互连技术产生了一系列集成电路芯片制造工艺的改进，而且相应的技术改进目前仍在进行当中。在未来5～10年内，铜互连技术本身以及相关技术将继续拓展并趋于成熟和完善，最终完全替代铝互连技术成为主流技术。
新型器件结构的产生将带动新工艺诞生
随着器件特征尺寸的持续缩小，未来5～10年内，集成电路的发展将遇到材料复杂性和系统复杂性大幅度提高所带来的阻碍。因此，诸如双栅器件/垂直器件、单电子存储器和相变存储器等将是满足65nm以下器件生产的必要条件。另外，对于45nm以下的器件生产，需要探索更具革新性的器件结构。随着新型器件结构的产生，相关的加工技术将发生本质性的变化，新的加工工艺亦将诞生。
测试技术：高档测试系统不断成熟
芯片可测性设计技术进一步完善，测试环节分散化
随着集成电路产品生命周期越来越短，产品的上市时间周期要求更加苛刻，新的设计和制造技术的引入速度加快，现有的以内建测试单元为代表的可测性设计技术将实现本质性变化。这些变化主要表现为电路中测试环节数目将增加，电路测试将体现在电路制造的每一环节之中，从设计、生产直至封装，每一个环节均与测试密不可分，分散化的测试将变得更加简捷。
高档测试系统将实现对大规模、高速电路的并行测试
为满足高速、高密度、SoC、ASIC等新型芯片的测试要求，测试系统的制造工艺、设备结构、部件性能均得到提高。新技术、新器件的使用，提高了测试系统的速度和性能，测试系统将实现高速、高密度、高通用性，可以完成对大规模、高速电路的并行多器件快速并行测试。但是，这类设备将是价格昂贵、体积庞大的大型设备。
测试设备所占比重加大，集成电路测试成为独立领域
由于集成电路的测试在生产过程中的比重增加，生产过程中测试设备的采用数量亦将大幅度增加，加之生产过程完成之后，仍需对产品进行测，测试系统在集成电路专用设备中所占的比重加大。这将给电路生产商带来成本上的负担同时也为测试与芯片制造、封装分离，向独立的方向发展提供了空间。
当今，集成电路封装测试已经开始向各自独立、自成领域的方向发展，在未来5～10年内，集成电路测试将彻底完成这一过程，集成电路生产过程将彻底细分为“电路设计、芯片制造、电路封装、电路测试”四大领域。
由于电子整机系统不断向轻、薄、小的方向发展，集成电路功能也由单一向复杂转变，并且向系统集成发展的方向已经明确。目前，SoC电路已经能在单一硅芯片上实现信号采集、转换、存储、处理和输入/输出等功能。由此可见，将数字电路、存储器、CPU、DSP、射频电路、模拟电路、传感器甚至微机电系统(MEMS)等集成在单一芯片上，实现一个完整系统功能的SoC设计将成为未来集成电路设计的主流。未来SoC芯片的设计将以IP复用为基础，把已优化的子系统甚至系统级模块纳入到新的系统设计之中。
SoC设计技术包括总线架构技术、基于SoC的IP核复用技术、软硬件协同设计技术、SoC验证技术、可测性设计技术和低功耗设计技术等。
另外，面向SoC之后的网络级芯片(NoC)的设计思想亦将进入集成电路设计领域。
设计线宽不断降低，芯片集成度不断增加
据专家分析，今后5～10年内，集成电路技术仍将遵循摩尔定律发展，而集成电路设计则是体现这一定律至关重要的一个环节。
目前，主流集成电路设计已经达到0.18μm～0.13μm，高端设计已经进入90nm，芯片集成度达到108～109数量级。根据2003年ITRS(International Technology Roadmap for SemIConductor)公布的预测结果，2007年将实现特征尺寸65nm，2010年将实现45nm，2013年将实现32nm，2016年将实现22nm量产。产品制造的实现是以设计为基础，相应的设计手段同期将达到这一水平。
EDA工具广泛应用，设计可行性与可*性提高
随着集成电路设计在规模、速度和功能方面的提高，EDA业界一直在努力寻找新的设计方法。未来5～10年，伴随着软硬件协同设计技术、可测性设计技术、纳米级电路设计技术、嵌入式IP核设计技术、特殊电路的工艺兼容技术等新方法出现在EDA工具中，EDA工具将得到更广泛的应用。EDA工具为集成电路的短周期快速投产提供了保障，使全自动化设计成为可能，同时设计可行性和可*性也可得到不断提高。先进的EDA工具将成为集成电路设计必不可少的技术手段。
IP复用技术不断完善
IP复用技术经过30余年的发展，目前已成为集成电路设计领域中至关重要的一种技术。利用IP复用技术可以节省设计人员的时间，充分实现技术继承性。未来5～10年，绝大部分集成电路产品均将采用IP复用技术，IP复用机制将完善并普及，从而形成庞大的产业。IP复用技术在集成电路设计领域将会占有举足轻重的地位。
可编程逻辑器件将大规模应用
可编程逻辑器件(PLD)，尤其是现场可编程门阵列(FPGA)是近几年集成电路中发展最快的产品。由于其性能的高速发展以及设计人员自身能力的提高，PLD将在未来5～10年内发挥更广泛的作用，同时，它们还会促使复杂的专用芯片面向高端和更复杂的应用。由于PLD的应用，集成电路的设计流程将更简化，设计周期将会不断缩短，同时设计成本和制造成本将进一步降低。
集成电路设计与整机系统结合将更加紧密
未来5～10年，集成电路设计将围绕应用展开，64位甚至128位通用CPU以及相关产品群的开发、3C多功能融合的移动终端芯片组开发、网络通信产品开发、数字信息产品开发、平面显示器配套集成电路开发等都将成为集成电路设计所面向的主体。
封装技术：封装与组装走向融合 多种封装方式共存，主流封装方式将转变
现今的新型封装方式将演变成主流封装方式，未来5～10年内以BGA/PGA等方式封装的集成电路产品不会消失，而芯片封装(CSP)、晶片级封装(WLP)、多芯片/三维立体封装(MCP/3D)等将成为主流封装方式，更先进的封装方式如系统级封装(SIP)等将会进入实用化。
多管脚、高可*性电路封装方式将产生
随着诸如CPU、SoC等高端电路产品的高度发展，集成电路输入输出管脚数目将急剧增加，运行频率的增加对信号时间延迟的要求将更为苛刻。为适应这类产品的需求，新型的封装方式将诞生，新型的封装方式的封装管脚数目将达到数千只水平，信号延迟再度降低、散热性能增强、抗恶劣环境等性能再度提高。此类新型封装方式适用于最高端的集成电路产品，代表着最高水平的封装技术，但因成本等因素还不能成为主流。
芯片表面贴装成为实用技术
随着系统集成和新技术的发展，集成电路芯片将开始不再通过封装过程而直接装配在电路基板上，倒装芯片(FCIP)技术将是最早实现这一形式的实用技术，其他新型的表面贴装封装方式将会诞生，但仍不会大规模进入主流封装领域。各种新型封装技术促使集成电路封装工序与整机/模块装配工艺的前端工序渐渐融合，这种变化使传统的封装与组装的界线和区别消失，涵盖封装和组装的新兴领域将会诞生。
芯片制造技术：纳米级加工技术向纵深发展
晶片直径继续增大
目前，世界主流生产线采用的晶片直径正在从200mm(8英寸)向300mm(12英寸)过渡，下一步将开始向400mm(16英寸)发展，预计实用化的400mm晶片将在2007～2010年间问世，届时晶片的大型化将显著提高生产效率和成品率。虽然增大晶片直径会带来巨额投资，但在未来5～10年内，这仍将是集成电路芯片制造领域内一个明显的发展趋势。
特征尺寸持续缩小
2004年，集成电路的特征尺寸开始正式进入纳米阶段，90nm线宽的集成电路被大规模应用在CPU、DSP等复杂集成电路中。根据预测，2007年将实现65nm，2010年将实现45nm，2013年将实现32nm，2016年将实现22nm量产。
纳米级光刻工艺将广泛使用
未来5年，集成电路芯片制造技术将全面进入纳米阶段，如何研发与生产工艺相匹配的光刻技术将成为主要问题。虽然当前浸润式光刻技术已经在90nm～6 5nm水平的应用上达到实用水平，并且正在向45nm工艺节点延展，但在更细线宽的应用上，前景仍不明朗。可以预测，来5～10年，准分子激光光刻技术、远紫外曝光光刻技术、电子束投影光刻技术、X射线光刻等下一代光刻技术中的一项或几项将进入成熟阶段，成为主流光刻技术。
铜互连工艺将继续拓展并得到广泛使用
目前铜互连技术已被众多的生产厂家应用于高端电路产品的加工生产中，而且由原来的6～7层互连发展到现今的9～10层互连。围绕着铜互连技术产生了一系列集成电路芯片制造工艺的改进，而且相应的技术改进目前仍在进行当中。在未来5～10年内，铜互连技术本身以及相关技术将继续拓展并趋于成熟和完善，最终完全替代铝互连技术成为主流技术。
新型器件结构的产生将带动新工艺诞生
随着器件特征尺寸的持续缩小，未来5～10年内，集成电路的发展将遇到材料复杂性和系统复杂性大幅度提高所带来的阻碍。因此，诸如双栅器件/垂直器件、单电子存储器和相变存储器等将是满足65nm以下器件生产的必要条件。另外，对于45nm以下的器件生产，需要探索更具革新性的器件结构。随着新型器件结构的产生，相关的加工技术将发生本质性的变化，新的加工工艺亦将诞生。
测试技术：高档测试系统不断成熟
芯片可测性设计技术进一步完善，测试环节分散化
随着集成电路产品生命周期越来越短，产品的上市时间周期要求更加苛刻，新的设计和制造技术的引入速度加快，现有的以内建测试单元为代表的可测性设计技术将实现本质性变化。这些变化主要表现为电路中测试环节数目将增加，电路测试将体现在电路制造的每一环节之中，从设计、生产直至封装，每一个环节均与测试密不可分，分散化的测试将变得更加简捷。
高档测试系统将实现对大规模、高速电路的并行测试
为满足高速、高密度、SoC、ASIC等新型芯片的测试要求，测试系统的制造工艺、设备结构、部件性能均得到提高。新技术、新器件的使用，提高了测试系统的速度和性能，测试系统将实现高速、高密度、高通用性，可以完成对大规模、高速电路的并行多器件快速并行测试。但是，这类设备将是价格昂贵、体积庞大的大型设备。
测试设备所占比重加大，集成电路测试成为独立领域
由于集成电路的测试在生产过程中的比重增加，生产过程中测试设备的采用数量亦将大幅度增加，加之生产过程完成之后，仍需对产品进行测，测试系统在集成电路专用设备中所占的比重加大。这将给电路生产商带来成本上的负担同时也为测试与芯片制造、封装分离，向独立的方向发展提供了空间。
当今，集成电路封装测试已经开始向各自独立、自成领域的方向发展，在未来5～10年内，集成电路测试将彻底完成这一过程，集成电路生产过程将彻底细分为“电路设计、芯片制造、电路封装、电路测试”四大领域。
来源：中国电子报