华虹NEC获得Cypress 0.13微米工艺授权

    
           上海华虹NEC电子有限公司（华虹NEC）与美国Cypress半导体公司已签订合作协议，华虹NEC将从Cypress获得0.13微米SONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon) 嵌入式非易失性存储（Embedded Non Volatile Memory）的工艺授权。
    
           嵌入式非易失性存储器工艺平台是华虹NEC战略性的细分工艺平台之一。0.35微米嵌入式EEPROM、0.35微米嵌入式OTP以及 0.25微米嵌入式Flash工艺已经量产多年，都受到市场与客户广泛青睐，使华虹NEC在嵌入式NVM技术领域表现出众。与Cypress 的0.13微米SONOS技术项目的合作将扩展华虹NEC的代工工艺技术体系，并加强华虹NEC在嵌入式NVM领域的领导地位，同时也使Cypress能够加速此技术的使用推广。
    
           SONOS闪存存储工艺具备许多优点，诸如稳定性好、高可靠性、低功耗、抗辐照能力强以及易与标准CMOS工艺兼容。另外，与其他嵌入式NVM技术相比，由于SONOS工艺所需的掩膜较少，可以提供更高性价比的解决方案。
    
           “很高兴能与Cypress合作0.13微米制程的嵌入式闪存/EEPROM工艺项目。借助Cypress在SONOS技术上的经验，客户在华虹NEC可得到更加全面的优质晶圆代工服务。”华虹NEC总裁刘文韬博士表示，“同时，0.13微米SONOS NVM工艺的导入将再次大大提升华虹NEC在嵌入式闪存/ EEPROM领域的争力，使得包括智能卡、MCU在内的各类客户产品的性价比得到质的飞跃。”
    
           “华虹NEC是嵌入式闪存/EEPROM市场领先的晶圆代工者。”Cypress晶圆厂及技术执行副总裁Shahin Sharifzadeh表示，“此次合作将促使Cypress的SONOS技术成为广泛的嵌入式NVM应用领域的主流解决方案。”