市场周报

市场周报

     3月上旬合约价跌幅近10%，合约价格已较现货市场价格为低
    
     DRAM报价方面，本周为中国农历年假期后第一周，年假后的补货以DDR为主，DDR2的需求较弱。虽然成交量并不大，但DDR 256Mb eTT之价格仍微幅上涨2.3%至1.79美元，DDR 512Mb 400MHz则上涨3.2%至3.86美元。相较于DDR的涨势，DDR2除了512Mb eTT维持农历年前的涨势，来到了3.43美元，512Mb 533MHz与667MHz皆下跌超过6%，跌落至3.91美元与4.03美元。
    
     三月上旬DRAM合约价持续下跌，继二月份DDR2 512MB 667MHz模块价格跌破40美元之后，三月上旬则跌破了35美元。若以34美元来计算，换算成DDR2 512Mb 667MHz颗粒价格大约在3.87美元，使得合约价格之颗粒价格已较现货市场的品牌颗粒价格为低。
    
     目前这一波合约价的跌幅，自2007年1月至3月，将近30%。原本预估是要在今年的3月以后会开始下跌，但现货市场的提早反应，使得在2月上旬就出现了快速向下修正的现象，连续一个多月的下跌，使得在3月上旬合约价呈现出较现货价为低之价格，也表示出OEM端之需求低于预期。以DRAM厂之成本来看，目前DDR2 667 512MB UDIMM Module之成本约为25至32美元，合约价格若持续下跌，则对于成本结构偏高的DRAM厂商而言，在今年第一季、第二季将会出现2005年以来再次见到的亏损现象。而DRAM厂也从去年第三季与第四季DRAM产品价格狂涨而致的高毛利，迅速跌至可能损失或低毛利的状况。
    
    

    
     NAND Flash颗粒农历新年后缺货，市场价格反弹上扬
    
     上周NAND Flash现货市场价格呈现反弹上扬的局势，尤其是高容量8Gb和16Gb的价格有单日涨幅超过8%的纪录。NAND Flash的价格自去年12月初就因终端需求持续疲软而一直往下调整，到2月中旬之前整个NAND Flash市场价格已经往下调整约50％，让许多市场人士忧心今年的NAND Flash产业发展。不过，农历年后的这波价格反弹，让业界人士可以开始用乐观的心态来面对未来数月的市场需求。
    
     根据DRAMeXchange观察，这次NAND Flash现货价格能够反弹向上，主要是由几个因素同时交互影响产生的，这些因素包括：1) NAND Flash上游供货商的产能调降，2)Apple为六月上市的iPhone开始向上游供货商提出备料要求，3)农历新年的九天假期使下游众多业者的库存水位见底。
    
     NAND Flash上游供货商为因应去年下半年终端市场需求疲软与价格持续下滑的现象，从去年第四季开始将部分Fab厂的产能移往生产DRAM，因此从去年12月开始NAND Flash颗粒可供应到下游业者手中的数量有明显缩减的迹象出现。
    
     Apple今年一月发表的最新产品iPhone预计今年六月在北美市场上市，据闻Apple已经向上游供货商发出备料通知。尽管iPhone初期上市能卖多少数量无人能知，但iPhone搭载4GB和8GB两种高容量的规格，加上过去iPod使用NAND Flash作为储存装置后热卖的状况，让多数市场人士乐观看待iPhone上市后对NAND Flash市场所产生的影响。
    
     今年中国农历新年的九天假期，使许多下游生产记忆卡和随身碟厂商在新年前所备的库存水位见底。长假结束，下游厂商开始向上游供货商拿货，但有些高容量的NAND Flash颗粒目前正处于缺货的状态，使得8Gb和16Gb的市场价格立刻反弹向上。在目前NAND Flash高容量颗粒的供应量仍处于不足的状况下，我们预期市场价格应会持续上涨一段时间，至于可以维持多久则需要继续密切的观察。
    最后，DRAMeXchange将2/26和3/5的NAND Flash现货收盘价做一比较：1Gb从2.43微幅下滑至2.41美元，跌幅为0.8%；2Gb从2.58下滑至2.51美元，跌幅2.7%；4Gb从3.75小跌至3.74美元，跌幅0.3%；8Gb则从6.19上涨至6.55美元左右，涨幅为5.8%；16Gb从12.41上涨至13.46美元，涨幅8.5%。