DRAM合约价上旬跌近10% DDRⅡ跌价冲击DRAM厂
来源： 作者： 时间：2007-03-08 15:06
力晶上月营收减21%，茂德减26%，南科华亚科衰退近二成。
根据统计，3月上旬DRAM合约价跌幅度近10%；NAND Flash现货价格呈现反弹上扬的局势。而这也带动了记忆体模组厂创见（2451）与威刚（3261）昨天盘中双双拉出长红。
3月上旬DRAM合约价持续下跌，自2007年1月至3月，目前这一波合约价的跌幅将近30%。然而，原本预估在今年的3月以后会开始下跌，在现货市场提早反应，使得在2月上旬就出现了快速向下修正的现象。
而先前市场价格已经往下调整约50%的NAND Flash产业，在农历年后已出现价格反弹，让业界人士可以开始用乐观的心态来面对未来数月的市场需求。
DRAM本月最新合约价持续走跌，DDRⅡ512Mb 667MHz模组价格昨（6）日跌破35美元，今年以来合约价跌幅接近三成，冲击DRAM获利。
合约价快速走跌，国内力晶（5346）、茂德（5387）、南科（2408）、华亚科（3474）2月营运明显受影响，力晶2月营收较元月衰退21%，茂德衰退26%，南科、华亚科也逼近二成的跌幅。
分析师指出，若以34美元来计算，换算成DDRⅡ512Mb 667MHz颗粒价格大约在3.87美元，目前合约价的颗粒价格已较现货市场的品牌颗粒价格为低。由于3月上旬合约价低于较现货价格，显示OEM端的需求不振、且远低于预期。
目前DDRⅡ667 512Mb Module成本约为25至32美元，合约价格持续下跌，对于成本结构偏高的DRAM厂商而言，第一、二季恐出现亏损。其他成本较低的DRAM厂，毛利也将锐减。
相较于DRAM价格的走跌，Flash近期却传出缺货声音、且现货价格持持反弹走高。
这次NAND Flash现货价格能够反弹向上，主要原因是Flash上游供应商的产能减少，且苹果电脑（Apple）为6月上市的i-Phone开始向上游供应商提出备料要求，加上农历新年长假，让下游通路商库存水位下降。
来源：中国IC交易网
