富士通第二座300毫米晶圆厂产能低过预期

       日前，富士通公司的第二座300毫米晶圆厂已经开始运营，该工厂将制造65纳米芯片，2007年7月开始进入量产。

       不过由于客户需求低于预期，新工厂的月产能将从最初的10,000片晶圆，大幅调低到2,000至3,000之间。

       富士通集团高级副总裁兼电子器件业务部总裁Shigeru Fujii 表示，“我们的产能可以进行灵活扩充，如果客户需求增加，我们将准备好扩充产能以满足需求。”据悉，第二座晶圆厂的月产能可以扩充至25,000片晶圆。

       富士通一直试图在晶圆代工领域取得成功，已经获得了超过30名客户。他们中包括日本的IDM和轻晶圆厂半导体公司，以及北美和亚洲的无晶圆厂半导体公司。

       新工厂的生产能力包括混合信号、嵌入式内存(闪存和1T-SRAM)和高速I/O处理器，工艺精度最低可以达到65纳米节点。另外，还包括采用90纳米的RF CMOS工艺过程，65纳米版本正在开发中。

       为了快速提供原型，富士通与Advantest在2006年11月建立了一家合资企业，为客户提供Advantest电波光刻系统设计原型服务，无需使用昂贵的掩膜工艺。

       现在，ASIC和代工服务占富士通半导体销售额的大约60%，基于130纳米和较陈旧工艺的微处理器和模拟器件业务占大约35%。

       富士通表示，该公司在数码相机和录像机H.264编码器ASSP市场占有最高份额。

       尽管代工业务扩张，但富士通2006财年半导体销售业务预计为39亿美元，比原先预测的43亿美元下滑10%。

       富士通第一座300毫米晶圆厂目前月产能为15,000片，使用90纳米过程工艺，为公司的半导体业务贡献主要利润。

       (来源：国际电子商情)