新帝：明年产能转移 NAND跌势趋缓

     （华强电子世界网讯）在手机用快闪记忆卡需求出现强劲成长之际，记忆卡大厂美商新帝（SanDisk）预估第四季NAND位季成长率将高达五○％至六○％，远高于市场预期的三○％至四○％幅度。SanDisk执行长Eli Harari指出，今年NAND均价下跌约六成，虽然各家NAND供货商明年仍有扩产计划，但已有业者开始将产能移转回毛利率较高的DRAM，所以他预估「明年NAND跌价将趋缓，不会每年都跌六成」。
    
     十月后已进入手机出货旺季，由于前五大手机厂新推出的手机，均内建记忆卡扩充插槽，因此带动了快闪记忆卡销售，除了台湾模块大厂威刚董事长陈立白证实，十月以来记忆卡销售拉出长红外，全球最大记忆卡大厂SanDisk执行长Eli Harari也在上周末法说会中表示，手机用记忆卡需求出期强劲，SanDisk第四季NAND位季成长率将高达五○％至六○％，远超乎市场预期。
    
     根据SanDisk的预估，虽然近期NAND芯片价格止跌回升，不过因年底旺季促销，每兆位均价仍会下滑一五％至二○％，全年来看NAND位出货均价将较去年下滑六成。不过正因为价格已经重跌，加上手机记忆卡扩充插槽带动新商机，预估第四季将因记忆卡出货畅旺，NAND位季成长率将高达五○％以上，较去年同期相较，位成长率则高达二倍。
    
     Eli Harari也在法说会中预估，明年各家NAND供货商主流制程，将会由九○奈米大幅微缩至七○奈米，由于NAND主要应用均以消费性产品为主，消费者对价格又具高度敏感性，未来几年NAND每年位出货均价下跌四○％至四五％将会十分合理，若下跌五○％亦属十分健康。
    
     Eli Harari强调，由长期的供需面来看，NAND均价每年跌六成不太合理，不会每年都跌六成，所以对明年NAND市场的看法是「审慎乐观」。
    
    
    

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