市讯周报

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     （华强电子世界网讯）DDR与DDR2双缺，8月上旬合约价格普遍上涨；NAND Flash上周现货市场价格开始回稳
    
    

    
     上周DRAM价格涨幅集中于DDR颗粒，DXI指数由3516上涨至3559。DDR 256Mb因供给短缺，使得报价持续被追高，DDR 256Mb与DDR 256Mb eTT颗粒分别上涨至2.77美元以及2.76美元。而DDR 512Mb (64Mb×8) 400MHz 也上涨至5.38美元，远超过DDR2颗粒价格。
    
     DDR2部分，因DRAM厂商90nm比重提高，因此DDR2 512Mb 667MHz产出逐渐增加，使得与DDR2 533MHz价差逐渐缩小，DDR2 512Mb 533MHz 与DDR2 512Mb 667MHz价差由上周0.18美元缩小到0.09美元。而DDR2 eTT为现货市场流通量较大的颗粒，价格小幅度上涨到4.36美元，价差也与major 颗粒逐渐缩小。
    
     在合约市场方面，8月上旬DRAM合约价大致上涨3 至5%。在DDR部分，价格上涨幅度较大，DDR 512MB模块价格已经达到最高成交到46美元，显示供给量短缺严重。DDR2合约价格，调整幅度集中在之前报价较低的厂商，DDR2 512MB 533MHz平均成交价格41至44美元。而DDR2 512MB 667MHz则涨幅较小，与DDR2 533MHz价差逐渐缩小。
    
     而整体DRAM市场仍处于DDR与DDR2双缺的状态，预期在8月下旬至9月合约价上涨趋势仍不会反转。虽然市场仍看好下半年微软Vista 所带动的DRAM需求，但是持续上涨的DRAM价格已经迫使PC OEM厂减缓PC中DRAM搭载量的增加速度，因此，DRAM合约价格属于缓步上涨格局。
    
    
    
    
     继上上周NAND Flash现货价格大幅度向下修正后，上周NAND Flash现货市场的现货价格开始出现回稳的迹象。主要原因在于一般月初上游厂商供货较少，许多下游厂商在上月底时已经拿了不少货，因此，当月初时并不积极进入现货市场拿货；另一方面，两大NAND Flash供货商Samsung和Hynix都在七月底和八月初相继往下修正官价，修正后的官价较之前的官价贴近目前现货市场的行情，因此，现货市场各种规格的NAND Flash价格开始渐渐回稳。
    
     将上周一和本周一的收盘价做一比较，可以发现主流规格产品4Gb和8Gb的价格波动都在上下1%之内，其余2Gb和16Gb也在1至2%之间，唯独1Gb价格下跌速度较快。若观察上周每一天各规格的现货价走势，可以发现4Gb的价格波动幅度最小。
    
     展望未来这一周整个NAND Flash现货市场的状况，DRAMeXchange认为基本上和上周不会有太大的差别，NAND Flash现货市场上仍有一定的基本需求存在，但目前这个时间点尚无任何一个足以刺激整个现货市场价格往上攀升的因子出现。据我们的了解，目前市场已有传闻Apple可能在本月中旬过后开始向Samsung和Hynix拿货，如果这个传言一旦属实，对于整个现货市场的价格将有止跌回升的激励作用出现。
    
    
    
    

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