DDR2交易渐热络，合约价格蕴酿反弹的契机

     （华强电子世界网讯） DXI指数由上周的2665反弹至2702，主要因为DRAM厂商临过低的DRAM价格不愿意放货带动UTT的价格反弹。而上周适逢香港12/24至12/27的圣诞节连续假期，市场上买家也较为谨慎的控管手中库存，部分SI以及OEM厂也不愿意在年底前买货增加库存，使得上周现货市场方面交易并不热络。主流颗粒DDR 256Mb (32M*8) 400MHz/333MHz/266MHz价格维持在USD 2.0-2.45之间，并无太大变化。而UTT(ETT)部分，买家仍希望以较低的价格购买，但市场上USD 2.0元以下供应的数量不多，因此价格由12/20的USD 1.98反弹至USD 2.02。倒是DDR2部分由于已传出供给吃紧，因此交易量逐渐放大，价格由3.72反弹至3.73。
    
     至于在合约市场部分，受到现货价上涨的鼓舞及持续强劲的客户需求，十二月下旬合约价的谈判中，DRAM厂试图小幅调涨合约价，但大部份的DDR及DDR2桌上型及笔记型计算机模块合约价仍以持平成交，而服务器模块已有一些厂商成功调涨成交价格。
    
     DRAM合约价自九月开始下跌至十二月上旬，DDR模块跌幅达22%，DDR2模块跌幅甚至高达32%，DRAM厂商在价格下跌压力下，自九月起纷纷调整其产能分配及产品结构。根据DRAMeXchange的统计调查，十一月的DRAM总体产出成长幅度已降至2.65%，远低于九月及十月约10%的成长幅度。而DDR2也因市况不佳，部分DRAM厂商将产能调拨生产DDR或是FLASH相关产品，使得某DRAM制造商表示受限于产能影响，一月DDR2将无法完全供应合约市场的需求量。而往年十二月，因接近旺季尾声，美系计算机系统大厂会大幅调降DRAM库存水位，而使十二月DRAM合约市场需求大减。但今年在DRAM低价的刺激下，十二月合约市场总体需求仍维持强劲表现，也使DRAM合约价格呈现落底,并蕴酿反弹的契机。
    
     现阶段，大多数的DRAM厂均乐观地表示，将于一月下旬调高合约价，预计第一季上半，DRAM合约价仍有所支撑。为刺激DDR2市场需求持续成长，某些DRAM厂表示于第一季，甚至第二季，仍会持续维持DDR2价格低于DDR1。由于目前每家DRAM厂在DDR2与DDR1的生产比重不一，不同客户对DDR2及DDR1的需求比例也不一，因此未来在个别厂商及客户的DDR及DDR2报价及成交价也会有些许调整幅度的差异。
    
     圣诞节前NAND Flash 2Gb订单的现货价上扬3％
     高容量NAND Flash的现货价格持续下跌且有减缓跌势的状况，本周跌价部份仅有16Gb；低容量部分的价格却朝另一个方向移动呈现上扬，本周2Gb的价格就上扬了3％。
    
     NAND Flash 1Gb, 2Gb, 4Gb, 8Gb, and 16Gb 的现货价格，分别升或跌了1%, 3%, 0%, 0%, and -1%，价格也在12月26日时, 分别来到7.62, 15.29, 26.25, 44.28 and 72.1 美元。
    
     MP3P的制造商在现货市场里寻找 NAND Flash 1Gb 与 2Gb。本周下旬，现货市场中绝大部分来自美国，欧洲和香港的厂商开始他们的长假期，所以减少了现货市场中来源的供应。因为NAND Flash现货市场在年末时被有限供应的情况所笼罩，所以最后几笔为了购买上述两部分所下的订单，于现货价格方面最高上扬3％。
    
     紧接着2006年第一周即将来到，春节时期的需求将慢慢显现出来。我们预测这需求将持续到一月中。然而，NAND Flash现货价的走势，将会依NAND Flash制造厂商的生产状况而定。