市讯周报

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     （华强电子世界网讯）DDR2现货价格超越合约价形成黄金交叉；NAND Flash现货价格出现止跌回升的迹象 DDR2现货价格超越合约价形成黄金交叉，预期9月合约价格仍有上涨空间
    
     上周DDR2现货价格大涨，带动DXI指数由3661上涨至3800。而DDR2现货价格也超越合约价格形成黄金交叉。DDR2颗粒在各种传言推波助澜下，价格持续上涨。DDR2 667MHz价格由4.94美元上涨至5.3美元。而DDR2 eTT上周涨幅达8.8%，价格来到5.33美元，已超越DDR2 667MHz品牌颗粒价格。由于DDR2 eTT颗粒在现货市场上流通量较大，因此当买方追价意愿高昂时，价格容易被炒高。而相较于DDR2价格大涨，DDR颗粒则因为之前价格上涨幅度已大，因此价格涨幅有限，DDR 256Mb与DDR 256Mb eTT颗粒上涨至2.85美元。而DDR 512Mb (64Mb×8) 400MHz 也小幅上涨至5.71美元。
    
     在DRAM需求方面，8月份起上游主机板业者开始感受到传统旺季来临，主要原因在于PC业者已经开始为圣诞节旺季作准备。因此，8月份主机板出货数字预估可望较7月份成长9.9%，预计9月份主机板出货数字可望进一步上扬，进而带动DRAM现货市场需求。而在通路商以及模块厂勇于追价下，DDR2现货市场需求明显转强，尤其是DDR2 667MHz颗粒更是炙手可热。
    
     目前DRAM市场因传统旺季来临，使得需求持续增加，而供给面则因DRAM厂产出受限，使得供给缺口持续扩大，造成DDR2现货价格大涨。而DRAMeXchange预期9月份供需缺口将持续扩大，因此9月份DDR2合约价格仍有上涨空间。
    

    
     NAND Flash现货价格出现止跌回升的迹象，能否持续往上修正价格仍待观察
    本月份NAND Flash现货市场价格在经过前三周的缓步下跌后，上周（第四周）开始出现止跌反转向上的迹象。根据DRAMeXchange的观察，NAND Flash现货市场在上周一时，仍呈现买气低迷的情况，但从周二开始市场的供给端出现货源短缺的现象，在市场需求端对4Gb规格的需求持续增加的情况下，市场上的卖方开始将价钱抬高，因而带动整体NAND Flash现货价格往上调整。到了上周三和周四时，NAND Flash现货市场的需求出现较为活络的现象，供给端开始出现有点紧缩的状态，各种规格价格向上修正的情况也越加明显。到了上周五时市场的需求开始减少，除了4Gb外其余产品规格的现货价又开始往下修正。
    
     根据DRAMeXchange的观察，目前这个时候NAND Flash现货市场的状况有些混乱，市场上不时出现一些利多讯息，但对于抵挡NAND Flash现货价格持续向下修正的趋势并无太大的作用。整体而言，现货市场目前仍在消耗先前过剩的库存量，至于何时能完全消耗完毕，还需一段时间观察。DRAMeXchange认为只有当市场过多的库存量降到合理的库存水位时，配合NAND Flash供货商采取适当的供货手段，才能在接下来的消费性电子商品旺季中，产生现货价格往上的趋势，至于这种情况是否会出现，九月份的现货价格表现将是重点。
    
    
    
    

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