市讯周报
来源：集邦科技 作者： 时间：2006-09-21 01:29
DRAM合约价格涨势持续至10月，现货市场涨势趋缓；NAND Flash现货价格仍持续上涨，唯交易量开始出现下降的状况
合约价格涨势持续至10月，现货市场涨势趋缓
DDR2现货价格涨势趋缓，DXI指数由4256小涨至4285。但是由于DDR2价格涨幅过大，下游买气已经出现有缩手状况，因此仍需要数周待低价库存消化后，再观察消费者能否接受目前高涨的DRAM价格。
现货市场方面，上周二在力晶将DDR2 eTT官价调高至7美元，使得DDR2 eTT报价短暂最高曾达7.17美元，带动整体DDR2报价冲高。但由于短线涨幅过大，近期报价已呈现高档整理态势，DDR2 512Mb(64Mb×8) 667MHz 价格也来到6.77美元。而在DDR部分，由于终端市场仍有一定的需求下，DDR上周价格普遍小涨1至2%左右幅度，DDR 512Mb 成交在6.36美元。
本波DDR2自七月起涨以来，下游通路商已经备有些许低价库存，因此当DDR2颗粒价格拉到7美元以上，使得下游买盘出现观望，预计仍需要一到两周左右时间消化原本的低价库存。未来现货市场还需要观察终端消费者是否能够接受价格上涨，若升级需求仍然强劲，现货价格才有机会启动另一波涨势。
至于合约市场部分，9月下旬DRAM厂与PC OEM厂的价格谈判仍在持续中，但是市场共识DDR2合约价还是会持续涨价，DDR2 512MB 667MHz普遍会成交在45美元以上，整体DDR2合约价格约上涨3至5%左右。但是由于DRAM价格占PC的整机成本比重已高，因此DRAM价格也不易大涨。而由于PC 出货高峰将会落在10月以及11月，因此预期DRAM合约价涨势将持续至10月份。
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Mobile RAM 的需求成长
应用在手机中的内存，除了FLASH之外，尚有数种不同的内存可供选择。
1. SRAM内存，以4Mb为主，多用在入门款手机，与8Mb或是16Mb的FLASH，以MCP技术封装在一起。
2. Mobile SDRAM内存，与一般DRAM类似的设计，也一样分为SDR以及DDR。主要是降低工作电压以符合省电的要求。
3. PSRAM内存，可作为SRAM与NOR之间的桥梁。
4. CellularRAM内存，CellularRAM是一种增强的PSRAM内存，CellularRAM组件完全兼容低功耗的FLASH接口，简化了内存架构并加速了随机存取时间。
以DRAM厂来说，与DRAM设计最为相近的Mobile SDRAM，会是最好的生产选择，但是因其容量较大，目前主要应用在高阶手机或是Smart Phone，相对于仍占市场多数的中低阶手机，其市场需求量仍较SRAM及PSRAM来得小。
但在今年全球手机需求量上看九亿五千万支，高阶手机、MP3手机以及照像手机的市占率逐渐攀高的状况下，高阶手机与多媒体手机的市占率在2007年仍会持续升高，使得Mobile SDRAM的需求量也会跟着提升。
NAND Flash现货价格仍持续向上，唯交易量开始出现下降的状况
上周NAND Flash现货市场周一到周四仍呈现交易热络的状况，4Gb/8Gb/16Gb等高容量的现货价出现较大的涨幅，特别是16Gb因为现货难求而出现价格迅速攀升的情形。但是，周五NAND Flash现货市场开始出现买气萎缩，部分供货商出现调低价格求单走货的情形，现货市场的报价数度出现落差很大的状况，整体现货价格亦因现货需求的急遽缩减而呈现明显下滑状态。
若将上周二的尾盘和这周一的尾盘价格相比，1Gb从2.82涨到2.88美元，涨幅2.1%；2Gb从5.07涨到5.10美元，涨幅0.6%；4Gb从7.88涨到8.23美元，涨幅4.4%；8Gb从15.78涨到16.68美元，涨幅5.7%；16Gb从30.95涨到33.64美元，涨幅8.7%。从这些数字来看，不难发现高容量的NAND Flash是目前现货市场的抢手商品。
根据DRAMeXchange的观察，NAND Flash主要供货商在九月份采取仅供货给部分Key customers的策略，其余多数的下游厂商想要拿货都必须进入现货市场。此外，NAND Flash主要供货商的SLC供货量持续减少，然而目前下游仍有许多商品需要以SLC做为主要组件，因此最近SLC涨势非常明显，也连带使MLC价格受到影响往上微涨。以目前现货市场的交易状况来看，整体价格是否能持续往上扬仍有许多变量，这周NAND Flash供货商的新官价公布，下游厂商是否愿意配合仍是重要的观察指标。
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