IR MOSFET及控制芯片组方案

IR MOSFET及控制芯片组方案

     （华强电子世界网） 国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）推出最新芯片组解决方案，适用于多元化的通用电信输入（36V至75V）及48V固定输入系统。
    
     新芯片组专为隔离式或非隔离式DC-DC转换器应用而设计，可提升系统层面的电源性能，如220W以下系统主机板的大型48V转换，或用以驱动基站系统的无线电放大器。
    
     IR2086S 控制器集成电路采用初级全桥布置，可简化隔离式DC-DC转换器电路。它特别针对总线转换器应用进行优化，并采用自振式50% 固定工作周期。相比于业界标准的四分之一砖设计，该芯片组能有效节省多达50% 的电路板空间，并可减少60% 的组件数目。
    
     IR2086S设有一个集成软启动电容器，能在2,000余个周期内把工作周期逐步增加至50%，以限制在启动阶段输入的电流；同时在整个启动过程中为全桥的高、低端MOSFET保持相同的脉冲宽度。
    
     新器件的其它特点包括自恢复电流限制保护、(1.2A栅驱动电流及50 - 200毫微秒的可调停滞时间以抗衡击穿电流、最高达500kHz的可编程开关频率。
    
     设计师可从100V IRF6644或IRF6655、40V IRF6613或IRF6614四种DirectFET MOSFET选择所需产品，组成完整的芯片组。这些MOSFET采用IR最新技术及DirectFET封装，能大幅优化导通电阻、栅电荷等重要器件指标。
    
     由于器件温度更低，因此无需在初级部分添加并行器件，即可满足更高电流要求。整体而言，IRF6644可提升约46% 输出功率，并有助于平衡转换器初级和次级部分的温度。相比类似电气参数的其它方案，IRF6644的导通电阻降低了约48%。
    
     IRF6644的组合式导通电阻与栅电荷的主要指标 优于同类方案45%。其导通电阻与两个传统元件的并联效果相当。在一些特定的输入输出电压比要求下，次级同步整流布置结构可采用IR 40V IRF6613 DirectFET MOSFET，较30V器件可提供33%的电压裕量，而效率则相差不到1％。