磁阻率高达70%的TMR元件相继发表
来源：日经BP社 作者： 时间：2004-01-15 18:14
(华强电子世界网讯) 美国NVE公司和日本ANELVA日前分别开发成功了室温下磁阻率(MR比）高达70%的TMR元件。该磁阻率显示的是MRAM读取信号的大小。MR比越大，MRAM读写的可靠性就越高。此前的磁阻率为50%。尽管该TMR元件可使用于硬盘的记录磁头，但在实际生产读取磁头所用的TMR元件时，MR比要比70%低不少。
(编辑 甘心)
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