存储行情天天谈——12月13日

存储行情天天谈——12月13日

     （华强电子世界网讯） DXI为2,589.50, 上涨0.86 (0.03%)
    
     台湾市场：
     今日的DRAM现货市场, 512Mb/400MHz模块的需求依然强劲, 连带的刺激了UTT的买气, UTT价格也因此一路攀升。主流颗粒256Mb(32M*8)400MHz/333MHz/266MHz的价格维持在USD2.003/USD2.24 与 USD2.067, 整体交易量有限。 UTT(ETT)的部份, 由于市场需求明显增加, 价格上涨1.54%%至USD1.84, 交易情况热络。
    
     在NAND FLASH的部分, 在高容量8Gb/16Gb的部分, 由于需求不振, 供应端报价持续下跌, 不过在1Gb/2Gb/4Gb的部分, 市场需求增加, 价格小幅上扬。 在主流品牌的1Gb/2Gb/4Gb/8Gb与16Gb的部份都分别调整至USD7.72/USD14.97/USD26.36/USD44.7与USD78.76, 8Gb 下跌1.08% 为单日跌幅最高的颗粒。
    
     香港市场：
     NAND Flash部分：今天依然持续昨天的涨势，上午时交易不错，价格也涨得比较厉害，下午就逐渐安静下来。焦点依然是HY 1Gb、2Gb 和SamsungK9K 4Gb。HY 2Gb在现货市场比较缺。Toshiba: 2Gb $14.50 Samsung：K9K 4Gb $26.30-26.50 HY 1Gb/2Gb/4Gb: $7.60、$14.60、$26.25有听到成交。HY 1Gb/2Gb/4Gb/8Gb今天的价格大概在：$7.45-7.65、$14.45-14.65、$26.00-26.30、$42.80-43.50 Samsung 1Gb/2Gb/4Gb/8Gb今天的价格大概在: $7.70-7.75、$15.20-15.50、 $26.30-26.50、 $42.90-46.90、Micron2Gb：$13.80-14.15
    
     DRAM部分： HY DDR 512Mb 64*8 400MHz和DDR 512Mb 32*16 400MHz需求不错，分别以$3.70、$3.60的价格成交。SDRAM HY 256Mb 32M*8 133MHz $3.25 有成交。UTT也因海外需求不错，交易有所好转，大概在$1.81-1.83，$1.82有成交。
     深圳市场：
     NAND Flash部分：今天上午时Hynix价格涨满多的，交易也比较多，集中在小容量的部分。而Samsung就没那么幸运，高容量价格还是有点跌，但也有一定成交。Hynix 1 Gb/2Gb/4Gb:￥60.7-61.5 ￥120 ￥216 –220 Samsung 1 Gb/2Gb/4Gb/8Gb : ￥64-65 ￥123-130 ￥219-224 ￥360-390 Toshiba4Gb：￥205 Micron2Gb: ￥114
    
     DRAM部分： 因为海外需求的出现，所以目前行情相对比较稳定，但还是有部分小跌。