存储行情天天谈——12月16日
来源:集邦科技 作者: 时间:2005-12-19 18:05
(华强电子世界网讯) DXI为2,638.62, 上涨33.16 (1.27%)
台湾市场:
今日的DRAM现货市场, 由于512Mb(64*8)400MHz颗粒的需求继续加温, 加上供应端货源紧缩, 价格持续上扬4.24%至USD4.09, 连带影响256Mb(32M*8)颗粒价格向上调升。主流颗粒256Mb(32M*8)400MHz/333MHz/266MHz的价格调涨至USD2.09/USD/2.25/USD2.072, 交易量并未明显放大。 UTT(ETT)的部份, 在空白模块的需求带动下, 价格急速攀升5.1%至USD2.018, 交易量有限。
在NAND FLASH的部分, 由于市场需求减少, 供应端价格持续调降, 不过在8Gb的部分, 由于出现少量需求, 价格小幅反弹, 成交量有限。主流品牌的1Gb/2Gb/4Gb/8Gb与16Gb的价格都分别调降至USD7.49/USD14.67/USD25.85/USD44与USD75.54, 1Gb下跌1.32% 为单日跌幅最高的颗粒。
香港市场:
NAND Flash部分:今天上午时,形势还不错,HY低容量和Samsung高容量都有所成交。但是下午时,市场就明显安静了下来,和明天是周末也不无关系。Samsung: 2Gb/K9W8Gb/16Gb $14.90-14.95、$45.50、$73.20;HY 1Gb $7.10-7.25有成交。HY 1Gb/2Gb/4Gb今天的价格大概在:$7.10-7.25、$14.30-14.55、$25.80-26.00 Samsung1Gb/2Gb/4Gb/8Gb/16Gb今天的价格大概在: $7.70-7.80、$14.80-15.00、 $25.20-26.10、$41.00-46.00、$73.20-74.0 Micron2Gb:$13.80-13.90。
DRAM部分:DRAM由于目前库存水位普遍较低,需求不错,价格也有所增加。UTT今天涨到$1.96-2.02。
深圳市场:
NAND Flash部分:今天工厂需求还不错,市场上询盘状况还算活跃,开出的目标价也比较合理,所以有一定的成交。但是感觉货不是很多,报价也比较少。Hynix 1 Gb/2Gb/4Gb:¥59 –61.5 ¥118.5-119.5 ¥212–218 Samsung 1 Gb/2Gb/4Gb/8Gb : ¥63.5-65 ¥120-128 ¥214-221 ¥340-383 Micron2Gb¥115。
DRAM部分:DRAM最近涨势明显,但SDRAM就没有那么幸运,甚至还有点下调。
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