飞思卡尔4 Mbit存储器产品已投入批量生产

     (华强电子世界网讯) 飞思卡尔半导体目前已经批量生产和提供第一款商用磁阻随机存取存储器（MRAM）设备。
    
     飞思卡尔的4兆位（Mbit）MRAM是一款快速的非易失性存储器产品，具有极强的耐用性——结合了其它任何单个半导体存储器都不具备的多种特性。该设备基于飞思卡尔的超过100项专利所保护的技术，包括跳变位（Toggle-bit）切换。
    
     “随着MRAM的商用，飞思卡尔率先将这种技术推向市场，从而带来巨大的可能性和潜力，”Semico Research的Bob Merritt说，“为了率先推出MRAM，各公司之间的竞争异常激烈。这是飞思卡尔工程团队积极努力的重大成果。”
    
     MRAM采用磁性材料，同时结合传统的硅电路，使单个的高耐用性设备既具备SRAM的速度，又拥有闪存的非易失性。飞思卡尔成功地将该技术投入商用，将促进新型电子产品的显著改进，包括规格、成本、功耗和系统性能方面的改进。
    
     “行业第一款MRAM产品的商业推广是飞思卡尔技术专家所进行的初创研究的重要里程碑。它进一步表明了我们对于为客户带来突破性技术以应对市场挑战的承诺，” 飞思卡尔战略和业务发展高级副总裁兼首席技术官 Sumit Sadana表示，“MRAM技术的独特性能为我们目标市场带来大量令人兴奋的应用。”
    
     飞思卡尔的第一款商用MRAM产品的名称为MR2A16A，适用于多种商业应用，包括联网、安全、数据存储、游戏和打印机等。该部件经济而又可靠，是替代battery-backed SRAM单元的理想产品。该设备还可用于cache buffers、configuration storage memories以及其它需要MRAM的速度、灵活性和稳定性的应用。
    
     关于MR2A16A
    
     MR2A16A可在商用产品温度范围内运行，运行电压为 3.3 伏，读写周期为35 nanosecond。它是256K words by 16 bits 的异步存储器。该产品采用行业标准的SRAM引线输出引脚，从而实现了系统设计的灵活性，而不会发生总线冲突。该设备采用400毫米的TSOP type-II RoHS封装，在飞思卡尔位于亚利桑那州的200毫米Chandler Fab制造。
    
     定价和供货信息
    
     MR2A16A MRAM产品已经上市，
    
    

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