工艺可望达65纳米级 AMD发现新纳米结构

工艺可望达65纳米级 AMD发现新纳米结构

     (华强电子世界网讯) AMD的研究人员日前发现一种被称为多晶硅纳米线(polysilicon nanowire)的纳米电子结构，这种结构陡然间为未来闪存器件的开发展示了一个美好的前景，它未用65纳米以下工艺制造闪存单元提供了一种可能的方法，该发现目前正在接受国际电子设备会议(International Electron Devices Meeting)鉴定。
    
     研究人员认为它展示了一种完全出乎人们的意料、并且十分可能存在的量子电子行为，AMD技术副总裁Craig Sander称，AMD相信这种结构很可能可以使现有的多层栅极(stacked-gate)闪存单元缩小到65纳米工艺节点。
    
     不过该公司还在寻找一些可以在该级别之下制造的新型结构。
    
     在12月10日举行的国际电子设备会议上，另一个候选方案是一种具有不带浮动栅(floating gate)的传统晶体管门电路结构的器件。负责这项研究的工作小组相信，他们观察到了一种量子井存储效应。极少的电荷对底层晶体管的临界电压产生了足够的影响，使该单元成为可读存储器。
    
     不过Sander谨慎地表示，这种器件的制造形式只是为了个别单元特性的研究，AMD尚没有单元阵列行为的相关数据。
    
     但是，该初步结果已经为人们展示了巨大的开发前景，表明有可能在常规FET结构和比例之外的领域中研制出实用的量子电荷存储器件，它具有与现有电路设计兼容的工作特性。