IBM开发成功性能高于硅的碳纳米管FET

     （华强电子世界网讯）IBM公司日前开发出了碳纳米管FET（场效应晶体管），与目前的硅FET相比，其电流驱动性能指标--互导（Transconductance）提高到了2倍左右。
    
    　　互导是漏极电流与栅极电压的比率，其数值越大工作速度也就越高。IBM制造出了具有和原来的硅MOS FET相似结构的碳纳米管FET，并对硅FET和碳纳米管FET进行了比较（图）。在单层碳纳米管上形成栅绝缘膜和栅电极，并构成FET。
    
    　　电气特性方面，亚阀值特性变化快速，低电压时具有高互导性能。另外，IBM还成功地开发出了p型和n型两种晶体管，这样就能够制造出CMOS电路。通常情况下，硅晶体管的栅绝缘膜厚度越薄，沟道长度越短，其性能就越高，但此次开发的碳纳米管FET不需进行尺寸优化就超过了硅FET的性能。因此今后如果能降低栅极长度和栅绝缘膜厚度，就能进一步提高其性能。