NHK开发成功高电子迁移率n型有机晶体管

NHK开发成功高电子迁移率n型有机晶体管

     （华强电子世界网讯） 日本NHK广播电视技术研究所与日本分子科学研究所和关东电化工业公司，日前成功地联合开发出了高电子迁移率的n型有机半导体。使用这种半导体试制了n型有机晶体管和CMOS电路，并在2004年3月28日～31日于东京理工大学举办的“日本第51届应用物理学会联合演讲会”上做了发表。
    
    　　NHK广播电视技术研究所等单位此次开发的n型有机晶体管的电子迁移率为0.11cm2/Vs。过去的n型有机晶体管则为0.03cm2/Vs左右。晶体管导通与截止时的源极-漏极电流比（导通/截止比）为1×105。这些电气特性“绝不逊色”（NHK广播电视技术研究所）于p型半导体中普遍使用并五苯的有机晶体管。这几家单位为对照而使用并五苯试制的有机晶体管的空穴电子迁移率为0.45cm2/Vs，导通-截止比为1×106。
    
    　　此次使用的n型有机半导体对p型有机半导体中空穴迁移率最高的并五苯进行了改进。将与并五苯结合的氢全部置换成了氟（以下简称氟化并本苯）。n型有机晶体管是在n型硅底板上制作的，栅绝缘膜使用了二氧化硅。栅长为100μm、栅极宽度为1000μm。
    
    　　试制的CMOS逆变器电路在同一硅底板上同时采用了此次开发的n型有机晶体管和使用并五苯的p型有机晶体管。输入电压范围为0V～+100V。输入电压在+65V条件下，输出电压会急剧变化。电路增益为45。作为试制的其他有机晶体管，还介绍了沟道为氟化并五苯和普通并五苯的层叠层的双极FET。