美光欲两年内实现NAND闪存市场份额翻三番
(华强电子世界网讯) 摘要：据外电报道，美光科技公司负责NAND产品开发的副总裁Frankie F. Roohparvar日前表示，公司拟于2007年初量产50纳米NAND闪存芯片，除此之外，公司还将采取更加积极的措施，欲在2008-2009年间把其在全球NAND闪存市场上的份额扩大至10%以上。
据外电报道，美光科技公司负责NAND产品开发的副总裁Frankie F. Roohparvar日前表示，公司拟于2007年初量产50纳米NAND闪存芯片，除此之外，公司还将采取更加积极的措施，欲在2008-2009年间把其在全球NAND闪存市场上的份额扩大至10%以上。
Roohparvar表示，公司已于7月底开始发布50纳米4G NAND芯片样品。明年，美光科技与英特尔的合资企业IM Flash科技公司的首家12英寸工厂将向美光科技提供NAND芯片，该合资企业位于美国犹他州的雷西，于今年年初成立，其生产目标是每月生产20万块晶片。
市场调研公司American Technology Research的分析师Doug Freedman称，预计IM Flash科技公司将在随后的三四个月时间里宣布另一座工厂的修建地。Roohparvar也称，公司已着手为另一座工厂选址。
Roohparvar还表示，2008年至2009年间，美光科技在全球NAND闪存市场上的份额将超过10%，公司对此深信不疑。另据市场调研公司iSuppli的数字，今年第一季度，美光科技的市场份额为2.9%。
据外电报道，美光科技公司负责NAND产品开发的副总裁Frankie F. Roohparvar日前表示，公司拟于2007年初量产50纳米NAND闪存芯片，除此之外，公司还将采取更加积极的措施，欲在2008-2009年间把其在全球NAND闪存市场上的份额扩大至10%以上。
Roohparvar表示，公司已于7月底开始发布50纳米4G NAND芯片样品。明年，美光科技与英特尔的合资企业IM Flash科技公司的首家12英寸工厂将向美光科技提供NAND芯片，该合资企业位于美国犹他州的雷西，于今年年初成立，其生产目标是每月生产20万块晶片。
市场调研公司American Technology Research的分析师Doug Freedman称，预计IM Flash科技公司将在随后的三四个月时间里宣布另一座工厂的修建地。Roohparvar也称，公司已着手为另一座工厂选址。
Roohparvar还表示，2008年至2009年间，美光科技在全球NAND闪存市场上的份额将超过10%，公司对此深信不疑。另据市场调研公司iSuppli的数字，今年第一季度，美光科技的市场份额为2.9%。
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(编辑 甘心)