韩国Hynix“备战”100纳米工艺生产内存

韩国Hynix“备战”100纳米工艺生产内存

     （华强电子世界网讯） 韩国内存厂商Hynix Semiconductor日前表示，该公司已作好准备，可以开始采用100纳米设计规则生产内存。该工艺将首先用于生产512Mb DDR和DDR2 SDRAM，随后在2003年下半年用于生产1Gb DDR2 SDRAM。
    
     Hynix全球销售副总裁Farhad Tabrizi表示：“我们预期2003年采用100纳米工艺技术生产的内存占Hynix产量的比例将接近20%，2004年则可达到65%。”
    
     Hynix目前正为现金问题所困扰，该公司称，与采用0.13微米(130纳米)相比，在资本支出中追加极少量的额外资金即可以将100纳米设计规则投入生产。该公司表示，投入采用100纳米工艺后，每片晶圆上的裸片数量将比130纳米增加40%。