三菱涉嫌操纵DRAM储存价格被美国司法部调查

     (华强电子世界网讯) 当地时间本周一，日本三菱电机公司表示，美国司法部反垄断监管机构正在和它们进行接触，调查三菱（美国）公司在1998年至2002年期间在美国销售 DRAM储存芯片的情况。
    
    　　三菱公司称，美国司法部最新调查包括三菱（美国）公司和Electronics USA公司，同时也包括它的母公司三菱电机公司和下属的子公司。2003年早些时候，三菱（美国）公司撤回了它的DRAM储存业务。
    
    　　美国司法部的这一举措暗示出操纵 DRAM储存芯片价格的丑闻已经牵连到三菱公司。本月早些时候，三星电子公司、现代半导体公司和英飞凌科技公司为了解决操纵 DRAM储存芯片价格的诉讼，已经同意支付1.6亿美元的罚款。
    
    　　在美国司法部的调查下，三星电子公司、现代半导体公司和英飞凌科技公司承认在1999年至2003年期间，犯有共谋操纵 DRAM储存芯片价格罪，同意支付1.6亿美元至3亿美元的罚款。参与这一案例的官员也将支付另外的罚款并被判处八个月的监禁。
    
    　　三菱公司和它的子公司已经 涉嫌关于操纵 DRAM储存芯片价格的公共诉讼，公司表示，美国司法部的调查和 DRAM储存芯片销售的公共诉讼对三菱公司业务的影响目前还不能够确定， 三菱公司表示，将不再评估今年四月份宣布的2006财年的业务预期。
    
    

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