三星推出全球首款60纳米NAND闪存 容量达8G

三星推出全球首款60纳米NAND闪存 容量达8G

     (华强电子世界网讯) 日前韩国厂商三星电子表示，它已经在关键性的数据技术取得突破，该技术有望大幅度提高用于计算机以及移动数据设备如MP3的数据存储器容量以及数据处理速度。
    
    　　三星电子称，它已经开发出业界第一款60纳米8Gbit的NAND闪存芯片。这一容量的闪存芯片意味做在单一的储存卡上可以存储16个小时DVD质量的视频或者4000首MP3歌曲。
    
    　　三星电子在申明中称，在业界我们是第一次成功地将60纳米实现了商用化。三星电子的NAND闪存业务正在快速扩张，其收入已经从2001年的4亿美元增长到去年的21亿美元。三星期望今年其NAND业务收入能够翻番，并确保在全球市场百分之65的市场份额。
    
    　　三星电子表示将在明年末批量生产8Gb的NAND闪存芯片，并在2005年第一季度推出4Gb NAND闪存设备。
    
    　　三星电子的第二大突破在于它基于现有80纳米工艺技术制造出了全球第一款2Gb DDR2 SDRAM芯片。高集成度的DDR2芯片将大大提高服务器和工作站的性能，并为各种耗内存应用如实时视频会议、远程医疗以及3D动画开辟了道路。
    
    　　市场咨询机构Gartner Dataquest 预测， DDR2内存将在2005年成为主流，其在整个内存市场的份额将从今年的百分之11提升到2005年的百分之50。
    
    　　三星电子计划在2005年下半年批量生产80纳米的2Gb DDR2 SDRAM芯片。
    
    　　三星电子还称，公司开发出了全球最快的手机CPU芯片，主频达到了667M赫兹，这为手机等移动数据设备实现三维电话提供了可能性。