数码闪存卡更新换代 价格大降众厂商角力甩货
来源:南方都市报 作者: 时间:2006-02-16 18:00
(华强电子世界网讯) 春节前后,在Sandisk和金士顿两大巨头的带动下,国内市场的数码闪存卡价格大降。两大巨头先后调低闪存卡的售价,1G容量低速SD卡公开售价仅399元左右,跌幅达两成。在两大巨头降价后,其他二线厂商未过多地跟进,只是小幅地调低售价。
一位经销商指出,目前降价的闪存卡主要是“低速卡”(指存储读写速度比较低的型号),而“高速卡”却未降多少,“当中的原因可能是低速卡将要被淘汰掉,因此厂商需要清货以迎接更新换代。”
有经销商指出,Sandisk 和金士顿目前降价的闪存卡都是采用MLC(多层式储存格)架构的NAND闪存颗粒,而不少未降价的品牌和产品都采用SLC(单层式储存格)架构的NAND闪存颗粒。
SLC架构和MLC架构相比,存储速度、寿命、省电性、稳定性等表现均优于后者,而价格一般会高出MLC约15%,SLC闪存颗粒的主要生产者三星并未大幅调低售价。
记者在市场上了解到,尽管高速卡更先进,但低速卡在价格、容量等方面具有较大的优势,但价格大降的低速卡显然更受消费者欢迎,“低速卡已经能满足一般用户的需求,并非完全过时。”
被认为是“低端”的低速卡价格大降,其背后是几大上游厂商相互角力的结果。
根据市场调查公司iSuppli 数据显示,三星在全球NAND闪存颗粒销售中占有50.2%的份额,而东芝仅占有22.8%,两大巨头仍有明显的差距,三星MLC的NAND闪存生产线将于今年夏季投产,令东芝等厂商感到更大的危机。因此春节前后采用MLC的闪存卡大规模降价,被业内人士认为是东芝大幅调低MLC闪存芯片售价,力保MLC架构的市场地位,同时给三星MLC芯片进入市场设置更大的障碍。
小知识
MLC型NAND闪存颗粒
采用多层单元技术,以日系厂商东芝、瑞萨为代表,主要采用0.13微米的制造工艺。
MLC闪存芯片价格更有竞争力,但读写速度较慢、能耗也比较高、使用寿命较短,比SLC要多15%左右的电流消耗。
SLC型单层单元颗粒
由韩系厂商三星、现代推出,主要采用0.9微米制造工艺,在性能和稳定性上更胜一筹,在能耗上要低于MLC,更可以保证10倍左右的使用寿命。
但也有价格较高、难以提升容量等缺点。
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