英特尔改变基础半导体方法 用金属代硅元素

英特尔改变基础半导体方法 用金属代硅元素

     (华强电子世界网讯） 11月6日北京消息：摩尔定律仍旧生效，但是英特尔公司正在改变其基础的半导体方法。
    
    　　这一芯片巨头正在展开一项研发，试图修整其晶体管的两大基本元素--晶体管门电路以及门电介质，以此提高速度和性能。
    
     目前，该门电路由硅原子构成，控制着晶体管的导通和截止，而位于门电路下面的绝缘层门电介质则是由二氧化硅组成。英特尔公司通过将二者用金属制作，将减少电流泄漏以及其它制约芯片发展的瓶颈问题。据该公司称，在测试过程中，在某些某些参数中新晶体管创造了多项记录。
    
    　　英特尔技术及生产组部件研发主管说：“我们也想继续用二氧化硅，但是由于泄漏问题而迫使我们不能这么做。这是许多人都面临的困境”
    
    　　采用45纳米制造工艺的金属门电路和金属门电介质的芯片将于2007年问世。
    
    　　由于摩尔定律，电子芯片的更新换代在所难免，业内广为人知的摩尔定律指出，芯片内集成的晶体管数量每两年就会翻一倍。
    
    　　由于金属天然的化学和屋里特性使得新一带芯片的电泄漏将得到有效遏制。而电泄漏降低后，芯片就可以用较少的电力达到期望性能，换言之在讨厌电能下速度会更快。
    
    　　英特尔公司在本周日本东京召开的国际门绝缘体研讨会上宣布了其在金属门电路中这一研究成果。