大联大诠鼎集团推出两款基于英诺赛科产品的48V四相2kW降压电源方案
来源：大联大 作者：大联大 时间：2025-09-11 15:26
2025年9月11日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下诠鼎推出两款基于英诺赛科（Innoscience）InnoGaN INN100EA035A氮化镓功率晶体管和INS2002FQ氮化镓半桥驱动IC的48V四相2kW降压电源方案。
图示1-大联大诠鼎基于英诺赛科产品的48V四相2kW降压电源的展示板图
随着人工智能与高性能计算的爆发式增长，CPU/GPU的功率持续升高。为显著降低传输损耗，全球服务器供电架构正从12V向48V系统加速升级。然而，受限于服务器内部的空间尺寸，传统的电源方案往往需要更高的功率密度来实现从48V到12V的供电转换。此背景下，大联大诠鼎基于英诺赛科InnoGaN INN100EA035A氮化镓功率器件和INS2002FQ氮化镓半桥驱动IC推出两款48V四相2kW降压电源方案，旨在为48V服务器、新能源汽车系统或通信模块提供高效、可靠的电源供电。
图示2-大联大诠鼎基于英诺赛科产品的48V四相2kW降压电源的场景应用图
与Si MOS相比，GaN具有出色的开关特性，且开关损耗更低。因此能够实现更高的转换效率，并提升开关频率，同时减小磁性器件尺寸和滤波电容体积，进而提高功率密度。此次大联大诠鼎基于英诺赛科产品推出的两款方案均采用四相交错Buck拓扑，每相使用1颗100V氮化镓半桥驱动IC INS2002FQ和4颗100V双面散热的低压氮化镓功率晶体管INN100EA035A进行功率传输。
INN100EA035A采用双面散热En-FCLGA封装技术，这一创新设计颠覆了传统的单冷却封装热管理方式，可有效降低器件的工作结温。并且该产品具备超低导通电阻，能大幅降低能量损耗，是实现高功率密度方案的关键所在。
INS2002FQ采用英诺赛科自研的FCQFN 3mm×3mm封装，专为驱动GaN而设计，其集成自举与BST钳位电路，支持独立上拉和下拉输出引脚，可分别调节开通和关断速度。并且器件也支持三态PWM输入，可灵活调节死区时间，实现低延迟、高驱动能力，非常适合高功率和高频率的应用场合。
图示3-大联大诠鼎基于英诺赛科产品的48V四相2kW降压电源的方块图
两款解决方案分别采用双耦合/四耦合电感设计。这种设计将传统Buck方案中的分立电感替换为低耦合系数的耦合电感，可有效降低电感纹波电流，同时减少电感和电容体积，有助于提升系统功率密度，实现灵活的拓展功能。在40Vdc-60Vdc输入、12V/167A输出的条件下，两款方案的最大输出功率为2000W。其中采用双耦合电感设计的峰值效率为98%@1200W，满载效率为97.6%@2000W；采用四耦合电感的峰值效率为98.1%@1000W，满载效率为97.7%@2000W。与市面上具有出色性能的Si MOSFET相比，两款方案的峰值效率和满载效率均提升1%以上。
核心技术优势：
? 四相交错Buck拓扑，生态成熟，拓展性灵活；
? 效率超98%，峰值效率和满载效率均比出色的Si MOSFET高1%以上；
? 高开关频率、高功率密度，且大幅降低能耗，满载无风条件下，器件热点温度比出色的Si MOSFET低15度以上。
方案规格：
? 输入电压：48V；
? 输入欠压保护：39V；
? 输入过压保护：63V；
? 输出电压：12V；
? 输出过压保护：15V；
? 输出限流：200A；
? 输出功率：2000W；
? 开关频率：250KHz；
? 满载效率：97.62%。
关于大联大控股：
大联大控股是致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商，成立于2005，今年喜迎20周年，总部位于台北，旗下拥有世平、品佳、诠鼎及友尚，员工人数约5,000人，代理产品供应商超过250家，全球67个服务据点，2024年营业额达新台币8,805.5亿元。大联大开创产业控股平台，专注于国际化营运规模与在地化弹性，长期深耕亚太市场，以「产业首选? 通路标竿」为愿景，全面推行「团队、诚信、专业、效能」之核心价值观，连续24年蝉联「全球分销商卓越表现奖」肯定，同时持续致力于强化ESG永续发展，连续3年荣获国际肯定，MSCI ESG评级A级殊荣。面临新制造趋势，大联大致力转型成数据驱动(Data-Driven)企业，建置在线数字平台─「大大网」，并倡导智能物流服务(LaaS, Logistics as a Service)模式，协助客户共同面对智能制造的挑战。大联大从善念出发、以科技建立信任，并以「共创伙伴价值 成就未来」为企业宗旨，期望与产业「拉邦结派」共建大竞合之生态系。
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