英特尔、索尼、TSMC展示低K技术设计蓝图

英特尔、索尼、TSMC展示低K技术设计蓝图

     （华强电子世界网讯） 在2003 IEEE国际互连技术大会（IITC）上，英特尔、索尼、TSMC、东芝和其它一些主要芯片生产商将展示他们目前或未来的低K策略。
    
     日本的东芝和索尼公司将在大会上作相关报道，报告中所提到的嵌入式DRAM技术主要是涉及旋涂式玻璃法和化学气相沉积法（CVD）低K薄膜。东芝和索尼公司在一些特定产品中一直使用的都是Dow Chemical公司的旋涂式技术，但它们在未来的设计中也许会寻找混和的方法。
    
     另一种可能的未来方法是使用物理隔离（air gaps）作为低K电介质材料。摩托罗拉、飞利浦半导体和STMicroelectronics公司将呈交有关报告。
    
     在90纳米的阵线中，中国台湾省半导体制造公司将提交相关报告，目前它在90纳米节点中使用的是Applied Materials公司的黑钻石低K薄膜。