英特尔计划投资30亿在亚利桑那建芯片厂

英特尔计划投资30亿在亚利桑那建芯片厂

     (华强电子世界网讯) 据外电报道，英特尔公司于25日宣布，公司计划在亚利桑那州投资30亿美元建设一个高级的半导体制造厂，该厂预计将在二年内运行。
    
    　　英特尔在这次声明中特，公司计划建造一个全新的300毫米(12英寸)硅晶片制造厂，也就是通常所称的"Fab 32"，厂址将选在英特尔制造厂所在地，亚利桑那州的钱德勒(Chandler)。
    
    　　声明中还提到，建厂工作将马上开始。预计该厂将于2007年下半年投产，采用的技术是45纳米加工技术。