RFMD高功率GaN晶体管系列高峰值漏极效率超过65%

       日前，设计与制造面向可推动移动通信的应用的高性能射频系统与解决方案的RF Micro Devices, Inc.(RFMD)宣布推出RF393X系列48V氮化镓(GaN)功率晶体管。RF393X产品系列可提供10W～120W的功率性能以及超宽的可调带宽，该技术胜于GaAs及硅LDMOS同类竞争技术。

       RFMD的RF393X产品系列由五个48V GaN非匹配功率晶体管组成，在2.1GHz时每个均可提供14dB～16dB的增益以及超过65%的高峰值漏极效率。RFMD GaN功率晶体管的性能使它们非常适用于宽带、高效功率放大器应用，例如广播电视、无线基础设施、高功率雷达、航天及航空电子。RFMD估计，GaN高功率半导体的总体现有市场约为10亿美元，其中GaN非匹配功率晶体管市场约为1.5亿美元。该公司目前与多个市场中的客户进行配合，预计将于2007年下半年开始进行生产。

       RFMD正在开发三种高电压GaN产品系列。除GaN功率晶体管外，该公司还正在开发高功率GaN RF集成电路(RFIC)及高功率GaN匹配晶体管。高功率GaN RFIC为完全匹配的高功率放大器，可在带宽的多个倍频程中提供高效率，并且适用于军用通信、公共移动无线电及软件定义无线电(SDR)等应用。高功率GaN匹配晶体管包括可改进阻抗及效率的内部匹配元件，并且适用于高功率雷达以及面向WCDMA及WiMAX的基础设施等应用