中芯实现DRAM技术突破 明年将继续扩张

中芯实现DRAM技术突破 明年将继续扩张

     (华强电子世界网讯) 中芯国际在最近宣布该公司的北京工厂已经在300毫米晶圆的纳米制造工艺方面实现了突破。
    
    　　据介绍，中芯在去年12月分别与德国英飞凌和日本Elpida签订了DRAM芯片生产协议。但是今年2月该协议在执行过程中却遇到一些问题。原来英飞凌和Elpida分别要求使用110纳米和100纳米的制造工艺，而中芯却发现很难找到一种通用的工具集来同时满足两方面的要求。
    
    　　这个技术难题曾使得Elpida一度对中芯北京工厂的技术实力产生了怀疑，为了不耽误时间它甚至曾在暗中联络过台湾力晶半导体。
    
    　　中芯首席运营官Marco Mora在本周二参加上海的一次行业会议时也承认他们在从140纳米工艺转向110纳米和100纳米的过程中遇到了困难，不过他表示中芯已经克服了这一难题，该公司在北京的工厂将很快可以按照协议生产芯片。
    
    　　Marco还介绍说中芯计划从2005年第三季度开始在北京工厂使用90纳米工艺来生产芯片。另外该公司还会在天津工厂增加一条200毫米晶圆的生产线，这将使中芯的月平均晶圆产量达到15000片。
    
    　　他最后还补充说中芯在明年将会继续扩张，并将增加高端产品的产量。