DRAM市场持续供过于求 美林大动作调降多家大厂投资评等
DRAM报价持续掼底走跌，今(22)日美林证券发表最新全球DRAM/NAND产业报告表示，一线 DRAM大厂将持续扩充资本支出，DRAM市场仍会是供过于求的局面。且预期在未来半年至一年内都无法有效复苏，因此大动作一次调降多家亚洲DRAM大厂投资评等；由「买进」降至「中立」为三星(Samsung)、海力士(Hynix)与力晶(5346-TW下单)；「中立」调降至「卖出」则是南科(2448-TW)与茂德(5387-TW)；重申「卖出」则为华亚科(3474-TW)。
美林驻南韩半导体产业分析师禹东济表示，虽然在DRAM报价快速急跌之后，不否认短期内将可望跌深反弹。但据了解，目前一线DRAM大厂扩充资本支出的脚步，仍依原计划进行，并没有减缓的意愿；DRAM市场在资本支出无法减速慢行，产能持续扩充的前提之下，DRAM报价要反转回升至一定水平，困难度很高。
禹东济指出，DRAM大厂不愿缩减资本支出的主要是在，目前 DRAM报价仍维持在高于1美元变动成本水平，这就表示即使价格跌至 2-3美元现金成本，只要比 1美元的变动成本高，且可以裁员为手段来降低变动成本，多数DRAM大厂将不会有考虑减少产能扩充的打算。
禹东济也表示，南韩 DRAM大厂把 DRAM产能转移至NAND的营运策略，根本就无法改善DRAM报价持续走跌的问题。目前全球DRAM产能为NAND 2.5倍多，把DRAM产能转至NAND不但无济于事，还恐将拖累NAND价格表现，预期明年全球的 NAND营收成长率，将自今年的10%下滑至8%，市场情势不利于NAND大厂SanDisk，因此也将其投资评等降至「中立」。
禹东济最后也警告投资人，从过去1996-1997历史经验来看，DRAM产业最坏的状况还没来，现在期望反转仍言之过早。今明两年各大厂只要在DRAM报价持续高于 1美元变动成本情况下，仍将坚持继续扩充资本支出，预估今明两年一线DRAM大厂平均自由现金流量殖利率将下修至-20%到-60%，远低于预期的+5%到-20%。
美林驻南韩半导体产业分析师禹东济表示，虽然在DRAM报价快速急跌之后，不否认短期内将可望跌深反弹。但据了解，目前一线DRAM大厂扩充资本支出的脚步，仍依原计划进行，并没有减缓的意愿；DRAM市场在资本支出无法减速慢行，产能持续扩充的前提之下，DRAM报价要反转回升至一定水平，困难度很高。
禹东济指出，DRAM大厂不愿缩减资本支出的主要是在，目前 DRAM报价仍维持在高于1美元变动成本水平，这就表示即使价格跌至 2-3美元现金成本，只要比 1美元的变动成本高，且可以裁员为手段来降低变动成本，多数DRAM大厂将不会有考虑减少产能扩充的打算。
禹东济也表示，南韩 DRAM大厂把 DRAM产能转移至NAND的营运策略，根本就无法改善DRAM报价持续走跌的问题。目前全球DRAM产能为NAND 2.5倍多，把DRAM产能转至NAND不但无济于事，还恐将拖累NAND价格表现，预期明年全球的 NAND营收成长率，将自今年的10%下滑至8%，市场情势不利于NAND大厂SanDisk，因此也将其投资评等降至「中立」。
禹东济最后也警告投资人，从过去1996-1997历史经验来看，DRAM产业最坏的状况还没来，现在期望反转仍言之过早。今明两年各大厂只要在DRAM报价持续高于 1美元变动成本情况下，仍将坚持继续扩充资本支出，预估今明两年一线DRAM大厂平均自由现金流量殖利率将下修至-20%到-60%，远低于预期的+5%到-20%。