集邦：DRAM现货价开始反弹 6月合约价有望止跌
上周DRAM现货价跌破制造成本后，主要DRAM厂商均表示不愿意再砍价出清库存，市场解读为DRAM价格底部浮现，使得现货市场的交易量明显放大，尤其是DDR2ett颗粒大涨12.5%，带动DDR2品牌价格微幅上扬2.3%。
内存市调机构集邦科技(DRAMeXchange)指出,5、6月终端市场需求尚未明显复苏、5月份PC出货量在淡季影响下表现并不如预期，加上PC OEM及现货市场主要买方及模块厂的DRAM库存仍在1个月以上，导致DRAM价格在6月之前，单靠市场买方逢低买进的买气支撑，反弹力道有限。
此外，集邦指出，在DRAM价格跌破厂商制造成本的压力下，韩系大厂海力士(Hynix)已将部份DRAM产能转至NAND Flash，预计Hynix 6 月底的产出即会小幅下降，而7月DDR2的产出预估更将下降10%~20%，使得市场对DDR2在第 3季的价格反弹有了比较乐观的期待。在合约市场方面，集邦指出，由于DRAM厂商开始抵制OEM厂商所要求的超低价格，加上现货价格开始反弹，使得于 6月合约价格有望止跌，而持平机会颇大。
集邦指出，DRAM主流颗粒DDR2价格自2007年1月以来，即呈现持续下跌的走势，根据数据显示，DDR2第1季均价季跌幅达20% ，而第2季均价跌幅更高达50%。上周在DRAM价格跌破厂商制造成本，似乎仍无止跌的迹象后，尽管面对5月底的出货压力，主要的DRAM厂商均表示不愿意再砍价以出清库存，被市场解读为DDR2价格底部即将呈现，进而带动市场另一波买气，通路商开始拉高库存水位，为第 3季旺季的需求做准备，导致现货市场交易量明显放大。
根据集邦报价，上周DDR2 eTT大幅上涨12.5%，最高来到1.65美元，并于5月23日当日涨幅达10%。而DDR2品牌价格在DDR2 eTT的带动下也微幅上扬2.3%至1.75美元水平。
内存市调机构集邦科技(DRAMeXchange)指出,5、6月终端市场需求尚未明显复苏、5月份PC出货量在淡季影响下表现并不如预期，加上PC OEM及现货市场主要买方及模块厂的DRAM库存仍在1个月以上，导致DRAM价格在6月之前，单靠市场买方逢低买进的买气支撑，反弹力道有限。
此外，集邦指出，在DRAM价格跌破厂商制造成本的压力下，韩系大厂海力士(Hynix)已将部份DRAM产能转至NAND Flash，预计Hynix 6 月底的产出即会小幅下降，而7月DDR2的产出预估更将下降10%~20%，使得市场对DDR2在第 3季的价格反弹有了比较乐观的期待。在合约市场方面，集邦指出，由于DRAM厂商开始抵制OEM厂商所要求的超低价格，加上现货价格开始反弹，使得于 6月合约价格有望止跌，而持平机会颇大。
集邦指出，DRAM主流颗粒DDR2价格自2007年1月以来，即呈现持续下跌的走势，根据数据显示，DDR2第1季均价季跌幅达20% ，而第2季均价跌幅更高达50%。上周在DRAM价格跌破厂商制造成本，似乎仍无止跌的迹象后，尽管面对5月底的出货压力，主要的DRAM厂商均表示不愿意再砍价以出清库存，被市场解读为DDR2价格底部即将呈现，进而带动市场另一波买气，通路商开始拉高库存水位，为第 3季旺季的需求做准备，导致现货市场交易量明显放大。
根据集邦报价，上周DDR2 eTT大幅上涨12.5%，最高来到1.65美元，并于5月23日当日涨幅达10%。而DDR2品牌价格在DDR2 eTT的带动下也微幅上扬2.3%至1.75美元水平。