DRAM现货报价大幅反弹，可望激励合约价止稳

       DRAM现货报价大幅反弹，可望激励合约价止稳
       根据某记忆体研究机构资料显示，近期DRAM现货报价出现大幅上涨走势，其中DDR2 512Mb eTT颗粒上涨至2.04美元，两周内涨幅达29%；而品牌颗粒DDR2 512Mb也上涨至2.19~2.21美元。
       据了解，近期现货报价反弹可归纳为下列几个原因，首先是中国华南地区严抓走私DRAM，促使深圳地区的通路商积极备货。由于DRAM产品经由海关进入中国市场，必须要课征17%的关税，使得部份大陆通路商为了降低成本而采取从香港走私DRAM产品。
       再者，近期台湾DRAM厂商纷纷转进70nm制程，使得cycle time拉长，导致5、6月份产出减少，因为台湾厂商主要大多供货到现货市场，也引发供给量减少的预期心理。
       另外，市场也传出现货大厂力晶大幅调高DDR2 512Mb eTT报价，由上周的1.6~1.7美元，一口调高到2美元，结果不但没有出现阻力，市场买盘反而蜂拥而上，进而一路推高报价冲上2.04美元。
       由于DRAM现货价在淡季仍得以出现大幅反弹，显示买盘相当积极，使得市场也看好合约价应该可以顺利回稳，加上现货价与合约价的价差已接近25%，一预期，7月的DRAM合约价应能止跌反弹。