左右为难 制程微缩路难行

左右为难 制程微缩路难行

       晶圆代工厂的营运模式是接单生产，可以与客户端进行协商后，再针对总体需求进行产能设计，但DRAM厂却完全不同，在追求庞大经济规模及超低成本的市场结构下，不论景气好或坏，每个月都是满载产能投片，所以DRAM厂若要有效降低单位生产成本，除了扩大投片量及提高良率外，另一个重要策略就是要比竞争对手更早进行制程微缩工程。
       因为DRAM是半导体市场中独特的标准型产品，所以随着各家DRAM厂的投片量增加及良率提升，市场供给量只会愈来愈多，当然价格也会是愈来愈低。在这个宿命下，DRAM厂要追求庞大的高额获利，就只有一条路可走，那就是比谁的单位成本最低，只要能够应用到最先进的制程，让成本有效降低三成或四成，就可以拉大成本与实际售价间的差距，当然若售价高于成本则会有很不错的获利，但若售价低于成本，至少比竞争对手亏得少。
       在这个产业特性下，每隔十二个月至十八个月时间，DRAM厂就得开始针对次世代制程进行微缩，如前年底台湾外DRAM厂正在进行○．一一微米转换至九○奈米的重大工程，现在则是见到各家业者开始将主流制程，由九○奈米微缩至七○奈米。
       理论上，若整个DRAM市场是处于一个良性多头架构下，只要提早将制程微缩至下一世代，一定可以获得庞大的利润，但很可惜的是，今年台湾DRAM厂商开始进行七○奈米微缩时，却遇到了市场严重供给过剩的空头市况。
       对DRAM厂来说，若七○奈米制程微缩顺利，虽然成本可以降低三成至四成之多，但是同样一片十二寸晶圆，可切割出颗粒成长率却高达四成至六成。只是在现在这种供给过剩的市场条件下，DRAM厂面临的是个两难的局面，因为制程微缩后虽可降低成本，降低亏损幅度或可转亏为盈，但新制程让DRAM位成长率一下子拉高，却有可能导致原本供给过剩的市况更为恶化。
       现在面对DRAM价格崩跌国外DRAM厂已有许多替代性产品，可用来降低产品线过度集中的风险，如三星及海力士可提高NAND产能，美光也可扩大CMOS影像传感器出货，尔必达及奇梦达则可拉高价格稳定的GDDR或利基型DRAM产能。
       但台湾DRAM厂至今为止，生产线仍有八成以上集中在标准型DRAM上，所以如何在加快制程微缩的动作中，还要抵抗不理性的价格波动，将是台湾DRAM厂未来营运上最大的风险及转机，的确得好好思考一下正确的营运策略，而不是盲目进行制程转换。