现代第三季度将生产57纳米NAND闪存

     北京时间6月26日硅谷动力从台湾媒体处获悉：日前业内有消息传出，为了进一步削减成本同时更好地与三星电子以及东芝等领导厂商进行竞争，现代半导体计划于今年第三季度在其8英寸工厂采用57纳米制程进行NAND闪存生产。
    
     来自现代下游客户的消息称，现代计划将NAND闪存生产所采用的60纳米制造工艺升级为57纳米制造工艺，与此同时，为了进一步削减成本，现代将继续在其8英寸工厂进行NAND闪存生产。据了解，通过此次技术升级，现代NAND闪存生产成本预计将削减20%。根据市场研究机构iSuppli公布的研究数据显示，现代目前在全球NAND闪存市场的占有率达到18.5%。
    
     与此同时，现代还将在明年第一季度引入48纳米生产工艺，届时可能无法继续使用8英寸晶圆工厂。有消息称，东芝能够通过56纳米生产工艺很好地控制产量，但三星52纳米NAND闪存生产仍遭遇“瓶颈”问题。
    
     麦格理证券研究公司表示，现代60纳米制程转移速度低于预期，但由于该公司减少DRAM芯片产能，并将更多晶圆用于NAND闪存生产，产量因此得以提高。该公司同时预测，现代NAND位元增长率将在今年下半年有所加快，预计将达到78%。
    
     （来源：eNet硅谷动力）