英特尔暂缓Turbo Memory移植DT计画

       由英特尔(Intel)所自行研发的嵌入式快闪记忆体(Flash)模组“Turbo Memory”(开发代号Robson)，除已于2007年5月率先导入Santa Rosa 笔记型电脑(NB)平台中应用，亦规划第3季针对桌上型电脑(DT)系统，推出扩充卡。不过，据主机板(MB)业者透露，英特尔近日向多家业者表示，由于1.0版本BIOS及驱动程式效能不尽理想，为免“砸了招牌”，因此将暂缓Turbo Memory移植DT计画，需重写BIOS及驱动程式，并延至2007年底或2008年第1季初才会面市。
       MB业者指出，先前英特尔于COMPUTEX中即公开表示，“Turbo Memory”将会移植DT系统计画中，并预定第3季出货1.0版本，MB业者可自行选择采用购买英特尔自家Turbo Memory扩充卡方式，或是购买英特尔的晶片及NAND Flash，直接打在主机板上。不过，据英特尔最新内部文件指出，由于DT内建Turbo Memory 1.0版本的效能测试并不如预期，为免辛苦研发多时的“Turbo Memory”初推即蒙尘，因此毅然决定取消1.0版本计画，延后至2007年底或2008年首季再直接推出1.5版本。
       而这也是继惠普(HP)宣布现阶段不会推出内建Turbo Memory的Santa Rosa NB产品后，英特尔引以为傲的“Turbo Memory”技术再度受到打击。
       英特尔Turbo Memory技术是基于微软(Microsoft)新一代作业系统 Vista的ReadyBoost及ReadyDrive功能而设计，可缩减作业系统及应用程式的启动时间，为硬碟机造成更大的缓冲容量，提升读写时间，并减少硬碟启动及转动次数，有效降低硬碟的耗电，进一步提升电池续航力，为新一代Santa Rosa平台的选择性配备之一。
       Turbo Memory所采用的NAND Flash采用72奈米制程，先前规划下一代Turbo Memory 2.0将会采用50奈米制程的NAND Flash，最高将可达至8GB容量，原预计第3季推出的Turbo Memory扩充卡，最大容量为1GB，共有ICH9R、ICH8DH、ICH9DO 3款南桥晶片搭配。